一色 俊之 

所属部署電気電子工学系
職名教授
Last Updated :2020/09/16

プロフィール

取得学位

  • 修士(工学), 京都工芸繊維大学, 1987年03月
  • 博士(学術), 京都工芸繊維大学, 1997年11月

学歴

  • 1985年03月, 京都工芸繊維大学, 工芸学部工業化学科, 卒業
  • 1987年03月, 京都工芸繊維大学, 大学院工芸学研究科修士課程工業化学専攻, 修了

職歴

  • 1987年04月~1990年03月, 大阪府立工業高等専門学校, 講師
  • 1993年04月~1998年04月, 京都工芸繊維大学, 助手
  • 1998年05月~2007年03月, 京都工芸繊維大学, 助教授
  • 2007年04月~2015年03月, 京都工芸繊維大学, 准教授
  • 2015年04月~, 京都工芸繊維大学, 教授

担当授業

    学部:人と自然と物理学, 物理学実験法及び基礎実験, 統計熱力学, 物理学Ⅱ
    博士前期:ナノ構造科学
    博士後期:ナノ構造論
    シラバス:『シラバスシステムへのリンク』

研究分野

所属学会

    応用物理学会, 日本物理学会, 日本顕微鏡学会, 日本表面科学会

研究活動

論文

  • Observation of Dislocation Conversion in 4H-SiC Epitaxial Wafer by Mirror Projection Electron Microscopy
    著者名 : Toshiyuki Isshiki, Takahiro Sato, Masaki Hasegawa, Kentaro Ohira, Kenji Kobayashi, Atsushi Miyaki, Katsunori Onuki
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2019年07月
    巻・号・頁 : 963, 251-254
  • Wurtzite [11-20]-oriented AlFeN films prepared by RF sputtering
    著者名 : N. Tatemizo, S. Imada, K. Nishio, and T. Isshiki
    掲載誌名 : AIP Advances
    出版年月 : 2018年11月
    巻・号・頁 : 8(11), 115117
  • Observation of a Latent Scratch on Chemo-Mechanical Polished 4H-SiC Wafer by Mirror Projection Electron Microscopy
    著者名 : Toshiyuki Isshiki, Masaki Hasegawa, Takahiro Sato, Kenji Kobayashi, Atsushi Miyaki, Masato Iyoki, Takehiro Yamaoka, Katsunori Onuki
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2018年06月
    巻・号・頁 : Vol. 924, pp. 543-546
  • Crystal Defect Analysis of Latent Scratch Induced During CMP Process on 4H-SiC Wafer Using Electron Microscopy
    著者名 : Takahiro Sato, Hiroaki Matsumoto, Seiichi Suzuki, Toshiyuki Isshiki, Nakamura Kuniyasu
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2018年06月
    巻・号・頁 : 924, pp. 531-534
  • Chemical Trend in Band Structure of 3d-Transition-Metal-Doped AlN Films
    著者名 : Nobuyuki Tatemizo, Saki Imada, Yoshio Miura, Koji Nishio, Toshiyuki Isshiki
    掲載誌名 : Matrials Science Forum
    出版年月 : 2018年06月
    巻・号・頁 : 924, pp. 322-325
  • Crystallographic properties and electronic structure of V-doped AlN films that absorb near ultraviolet-visible-infrared light
    著者名 : N. Tatemizo, S. Imada, Y. Miura, K. Nishio and T. Isshiki
    掲載誌名 : Journal of Applied Physics
    出版年月 : 2018年04月
    巻・号・頁 : 123(16) 161546 1-5
  • Au-nanoparticle-embedded cross-linked gelatin films synthesized on aqueous solution in contact with dielectric barrier discharge
    著者名 : Tatsuru Shirafuji, Yusuke Nakamura, Shiori Azuma, Naoya Sotoda, and Toshiyuki Isshiki
    掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    出版年月 : 2018年01月
    巻・号・頁 : 57(1), 0102BE 1-8
  • Band structure and photoconductivity of blue-green light absorbing AlTiN films
    著者名 : Nobuyuki Tatemizo, Yoshio Miura, Koji Nishio, Shun Hirata, Fumihiro Sawa, Kazutoshi Fukui, Toshiyuki Isshiki and Saki Imada
    掲載誌名 : Journal of Materials Chemistry A
    出版年月 : 2017年10月
    巻・号・頁 : 5・39・20824-20832
  • Surface morphology and dislocation characteristics near the surface of 4H-SiC wafer using multi-directional scanning transmission electron microscopy
    著者名 : Takahiro Sato, Yoshihisa Orai, Yuya Suzuki, Hiroyuki Ito, Toshiyuki Isshiki, Munetoshi Fukui, Kuniyasu Nakamura, and C.T. Schamp
    掲載誌名 : Microscopy
    出版年月 : 2017年10月
    巻・号・頁 : 66(5) 337-347
  • High quality lamella preparation of gallium nitride compound semiconductor using Triple Beam™ system
    著者名 : Sato, T., Nakano, K., Matsumoto, H., Torikawa, S., Nakatani, I., Kiyohara, M., Isshiki, T.
    掲載誌名 : J. Phys.: Conf. Ser. 902(1), 012019_1-4
    出版年月 : 2017年10月
    巻・号・頁 : 902(1), 012019_1-4
  • Characterization of the surface morphology and grain growth near the surface of a block copolymer thin film with cylindrical microdomains oriented perpendicular to the surface
    著者名 : Sakurai, S., Harada, T., Ohnogi, H., Isshiki, T., Sasaki, S.
    掲載誌名 : Polymer Journal
    出版年月 : 2017年09月
    巻・号・頁 : 49(9) 655-663
  • Observation of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Wafer by Mirror Projection Electron Microscopy and Low-Energy SEM
    著者名 : Toshiyuki Isshiki, Masaki Hasegawa, Yoshihisa Orai, Atsushi Miyaki, Takahiro Sato
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2017年05月
    巻・号・頁 : 897, 197-200
  • Three Dimensional Dislocation Analysis of Threading Mixed Dislocation Using Multi Directional Scanning Transmission Electron Microscopy
    著者名 : Takahiro Sato, Yuya Suzuki, Hiroyuki Ito, Toshiyuki Isshiki and Kuniyasu Nakamura
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2017年05月
    巻・号・頁 : 897, 173-176
  • Crystallographic and electronic properties of AlCrN films that absorb visible light
    著者名 : N. Tatemizo, S. Imada, Y. Miura, K. Nishio, and T. Isshiki
    掲載誌名 : AIP Advances
    出版年月 : 2017年05月
    巻・号・頁 : 7, 055306 1-6
  • STEM and HRTEM studies of accumulated deposits on human tooth surface
    著者名 : Masanobu Wakasa, Yoshiyuki Eshita, Kuniyuki Nakanishi, Tsutomu Isobe, Kenji Manago, Masayuki Okamoto,Toshiyuki Isshiki
    掲載誌名 : Microscopy Research and Technique
    出版年月 : 2017年05月
    巻・号・頁 : 80, 511-524
  • Cross section and plan view STEM analysis on identical conversion point of basal plane dislocation to threading edge dislocation of 4H-SiC
    著者名 : Takahiro Sato, Yoshihisa Orai, Toshiyuki Isshiki, Munetoshi Fukui and Kuniyasu Nakamura
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2016年05月
    巻・号・頁 : 858, 397-400
  • Observation of pair structures of threading dislocation and surface defect in 4H-SiC wafer by mirror projection electron microscopy
    著者名 : Toshiyuki Isshiki, Masaki Hasegawa
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2016年05月
    巻・号・頁 : 858, 371-375
  • Fine Structure of Tooth Enamel in the Yellowing Human Teeth: SEM and HRTEM Studies
    著者名 : MASANOBU WAKASA, KUNIYUKI NAKANISHI, KENJI MANAGO, TSUTOMU ISOBE, YOSHIYUKI ESHITA, MASAYUKI OKAMOTO, AND TOSHIYUKI ISSHIKI
    掲載誌名 : MICROSCOPY RESEARCH AND TECHNIQUE
    出版年月 : 2015年11月
    巻・号・頁 : 79, 14-22
  • Relations between Surface Morphology and Dislocations of SiC Crystal
    著者名 : Yoshihisa Orai, Syunya Watanabe, Takahiro Sato,Toshiyuki Isshiki, Munetoshi Fukui
    掲載誌名 : Material Sience Forum
    出版年月 : 2015年02月
    巻・号・頁 : 821-823, 311-314
  • Study on formation of dislocation contrast in 4H-SiC wafer in mirror projection electron microscopy image
    著者名 : Toshiyuki Isshiki, Masaki Hasegawa
    掲載誌名 : Material Sience Forum
    出版年月 : 2015年02月
    巻・号・頁 : 821-823, 307-310
  • Basal plane dislocation analysis of 4H-SiC using multi directional STEM observation
    著者名 : Takahiro Sato, Yoshihiro Ohtsu, Yoshihisa Orai, Toshiyuki Isshiki and Munetoshi Fukui
    掲載誌名 : Material Sience Forum
    出版年月 : 2015年02月
    巻・号・頁 : 821-823 303-306
  • Intriguing Ttransmission Electron Microscopy Images Observed for Perpendicularly Oriented Cylindrical Microdomains of Block Copolymers
    著者名 : H. Ohnogi, T. Isshiki, S. Sasaki, S. Sakurai
    掲載誌名 : Nanoscale
    出版年月 : 2014年06月
    巻・号・頁 : 6, 18, 10817-10823
  • Non destructive inspection of dislocations in SiC wafer by mirror projection electron microscopy
    著者名 : T. Isshiki, M. Hasegawa
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2014年02月
    巻・号・頁 : 778-780・402-406
  • Dislocation analysis of 4H-SiC using KOH low temperature etching
    著者名 : T. Sato, Y. Suzuki, H. Ito, T. Isshiki, M. Fukui
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2014年02月
    巻・号・頁 : 778-780・358-361
  • Structural analysis of ZnO thin films grown in room temperature on PET film
    著者名 : H. Yamamoto, K. Idehara, R. Kimura, H. Nishigaki, T. Isshiki, N. Hasuike, H. Harima
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2014年02月
    巻・号・頁 : 778-780・1201-1205
  • TEM observation of defect structure oflow-energy ion implanted SiC
    著者名 : T. Kameda, A. Tomita, T. Matsui, T. Isshiki
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2014年02月
    巻・号・頁 : 778-780・350-353
  • Dislocation Conversion in 4H-SiC Crystals Grown by Metastable Solvent Epitaxy
    著者名 : S. Hamada, H. Yoshioka, H. Kawami, N. Nakamura, Y. Setoguchi, T. Matsunami, S. Yamaguchi, K. Nishikawa, H. Aoki,, T. Isshiki, N. Ohtani
    掲載誌名 : ECS Journal of Solid State Science and Technology
    出版年月 : 2013年07月
    巻・号・頁 : 2 (8) N3092-N3097
  • Reducing Structural Change in Aluminum Coated Polyethylene Naphthalate Foils during MeV Proton Irradiation
    著者名 : M. Saito, S. Nagata, F. Nishiyama, T. Isshiki, K. Takahiro
    掲載誌名 : Vacuum
    出版年月 : 2013年03月
    巻・号・頁 : 89, 153-156
  • Well-ordered arranging of Ag nanoparticles in SiO2/Si by ion implantation
    著者名 : K. Takahiro, Y. Minakuchi, K. Kawaguchi, T. Isshiki, K. Nishio, M. Sasase, S. Yamamoto, F. Nishiyama
    掲載誌名 : Appl. Surf. Sci.
    出版年月 : 2012年06月
    巻・号・頁 : 285, 7322-7326
  • Frank Partial Dislocation in 4H-SiC Epitaxial layer by MSE Method
    著者名 : S. Hamada, H. Yoshioka, H. Kawami, N. Nakamura, Y. Setoguchi, T. Matsunami, K. Nishikawa, T. Isshiki
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2012年05月
    巻・号・頁 : 725, 31-34
  • Formation and Growth Mechanism of Calcium Carbonate Nanoparticles via a Bubbling Method
    著者名 : K Eguchi, T Satake, M Tajika, S Kuwamoto, K Yokoyama,, J Matsui, T. Isshiki, N Umesaki
    掲載誌名 : Materials Science and Engineering
    出版年月 : 2011年10月
    巻・号・頁 : 18 062001-4
  • Application of X-ray Photoelectron Spectroscopy to Characterization of Au Nanoparticles Formed by Ion Implantation into SiO2
    著者名 : K. Takahiro, S. Oizumi, K. Morimoto, K. Kawatsura, T. Isshiki, K. Nishio, S. Nagata, S. Yamamoto, K. Narumi and H. Naramoto
    掲載誌名 : Applied Surface Science
    出版年月 : 2009年11月
    巻・号・頁 : 256, 4, 1061-1064
  • Synthesis and Characterization of Mn-Doped BiFeO3 Nanoparticles
    著者名 : H. Fukumura, S. Matsui, N. Tonari, T. Nakamura, N. Hasuike, K. Nishio, Toshiyuki Isshiki, H. Harima, K. Kisoda
    掲載誌名 : Acta Physica Polonia A
    出版年月 : 2009年07月
    巻・号・頁 : 116, 1, 47-50
  • HRTEM Analysis of AlN Buffer Layer Grown on 3C-SiC/Si Heteroepitaxial Substrates with Various Surface Orientations
    著者名 : T. Isshiki, K. Nishio, Y. Abe, J. Komiyama, S. Suzuki, H. Nakanishi
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2009年02月
    巻・号・頁 : 600-603, 1281-1284
  • Pair-Generation of the Basal-Plane- Dislocation during Crystal Growth of SiC
    著者名 : T. Nishiguchi, T. Furusho, T. Isshiki, K. Nishio, H. Shiomi, S. Nishino
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2009年02月
    巻・号・頁 : 600-603, 329-332
  • Semipolar Nitrides Grown on Si(001) Offcut Substrates with 3C-SiC Buffer Layers
    著者名 : Y. Abe, J. Komiyama, T. Isshiki, S. Suzuki, A. Yoshida, H. Ohishi, H. Nakanishi
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2009年02月
    巻・号・頁 : 600-603, 1317-1320
  • Synthesis of TiO2 nanocrystals controlled by means of the size of magnetic elements and the level of doping with them
    著者名 : H Nakano, N Hasuike, K Kisoda, K Nishio, T Isshiki, H Harima
    掲載誌名 : J. Phys.: Condens. Matter
    出版年月 : 2009年01月
    巻・号・頁 : 21・064214
  • Structural and electronic properties of Co-doped ZnO nanocrystals synthesized by co-precipitation method
    著者名 : Noriyuki Hasuike, Koji Nishio, Toshiyuki Isshiki, Kenji Kisoda, Hiroshi Harima
    掲載誌名 : phys. stat. sol. (c)
    出版年月 : 2009年01月
    巻・号・頁 : 6・213
  • Structural and electronic properties of ZnO polycrystals doped with Co
    著者名 : N Hasuike, K Nishio, H Katoh, A Suzuki, T Isshiki, K Kisoda, H Harima
    掲載誌名 : J. Phys.: Condens. Matter
    出版年月 : 2009年01月
    巻・号・頁 : 21・064215
  • Simultaneous observation of single-walled carbon nanotube and catalyst particles on SiO2 substrate by transmission electron microscopy
    著者名 : T. Murakami, Y. Hasebe, K. Higashi, K. Kisoda, K. Nishio, T. Isshiki, H.Harima
    掲載誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
    出版年月 : 2008年10月
    巻・号・頁 : 47, 730-734
  • Effective catalyst on SiO2 in ethanol CVD for growth of single-walled carbon nanotubes
    著者名 : T.Murakami, T.Hasebe, K.Kisoda, K.Nishio, T.Isshiki, H. Harima
    掲載誌名 : Diamond and Related Materials
    出版年月 : 2008年07月
    巻・号・頁 : Volume 17, Issue 7-10, Pages 1467-1470
  • Studies on the Growth of Pure Double-Walled Carbon Nanotube and Its Phonon Spectra
    著者名 : T. Murakami, K. Matsumoto, K. Kisoda, R. Naito, K. Nishio, T. Isshiki, H. Harima
    掲載誌名 : Journal of Applied Physics
    出版年月 : 2008年06月
    巻・号・頁 : 103(11), 14305-1-8
  • Preparation of Mesoporous Silica with Well-Defined Hexagonal Array of Pores by Using Octyltrimethylammonium Chloride
    著者名 : T. Sawada, T. Yano, N. Isshiki, T. Isshiki, M. Iwamoto
    掲載誌名 : Bulletin of Chemical Society Japan
    出版年月 : 2008年03月
    巻・号・頁 : 81, 3, 407-409
  • Simultaneous Observation of Single-Walled Carbon Nanotubes and Catalysts Particles on SiO2 Substrates by Transmission Electron Microscopy
    著者名 : T. Murakami, Y. Hasebe, K. Higashi, K. Kisoda, T. Isshiki, K. Nishio, H. Harima
    掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    出版年月 : 2008年01月
    巻・号・頁 : 47・,1・730-734
  • Mluti-wavelength Raman and HRTEM study of Ni/Si interface after NiSi formation at low temperatures using various heating methods
    著者名 : T.Sasaki, H.Minami, H.Harima, T. Isshiki, M.Yoshimoto, W.S. Yoo
    掲載誌名 : ECS Transactions
    出版年月 : 2008年01月
    巻・号・頁 : Volume 13, Issue 1, Pages 405-412
  • Structural Properties of Nanometre-sized ZnO Crystals Doped with Co
    著者名 : N. Hasuike,, R. Deguchi, H. Katoh, K. Kisoda, K. Nishio,, Toshiyuki Isshiki, H. Harima
    掲載誌名 : Journal of Physics: Condensed Matter
    出版年月 : 2007年08月
    巻・号・頁 : 19・365223
  • Superconductivity and structural characteristics of ceramic Pr2Ba4Cu7O15-d prepared by ambient pressure synthesis using citrate pyrolysis method
    著者名 : M. Hagiwara, T. Shima, S. Tanaka, K. Nishio, T. Isshiki, T. Saito, K. Koyama
    掲載誌名 : Physica C
    出版年月 : 2007年06月
    巻・号・頁 : Vol. 463-465, pp. 161-164
  • Synthesis and Raman Study of Double-Walled Carbon Nanotubes
    著者名 : K. Matsumoto, T. Murakami, Toshiyuki Isshiki, K. Kisoda, H. Harima
    掲載誌名 : Diamond and Related Materials
    出版年月 : 2007年01月
    巻・号・頁 : 16, 1188-1191
  • Raman and Photoluminescence from Dispersed Single Walled Carbon Synthesis and Raman Study of Double-Walled Carbon Nanotubes
    著者名 : T. Murakami, K. Kisoda, K. Matsumoto, T. Tokuda, H. Harima, K. Mitikami, Toshiyuki Isshiki
    掲載誌名 : Diamond and Related Materials
    出版年月 : 2007年01月
    巻・号・頁 : 16, 1192-1194
  • Highly Aligned Growth of Carbon Nanotubes by RF-Plasma-Assisted DC Plasma Chemical Vapor Deposition at High Pressure
    著者名 : Y. Hayashi, T. Fukumura, Toshiyuki Isshiki, R. Utsunomiya
    掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
    出版年月 : 2006年10月
    巻・号・頁 : 45(10B), 8308-8310
  • Catalytic Mechanism of a Fe-Co Bimetallic System for Efficient Growth of Single-walled Carbon Nanotubes on Si/SiO2 Substrates
    著者名 : T. Murakami, K. Mitikami, S. Ishigaki, K. Matsumoto, K. Nishio,, Toshiyuki Isshiki, H. Harima
    掲載誌名 : Journal of Applied Physics
    出版年月 : 2006年09月
    巻・号・頁 : 100(9) 094303
  • Application of Ultraviolet Raman Spectroscopy for Characterization of the Physical Crystal Structure Following Flash Anneal of Ultra Shallow Implanted Layer
    著者名 : M. Yoshimoto, H. Nishigaki, H. Harima, T. Isshiki, K. Kang and W.S.Yoo
    掲載誌名 : J. Electrochemical Society
    出版年月 : 2006年07月
    巻・号・頁 : 153, G697-G702
  • Effect of Additives on Hydrolysis of Ti Alkoxide and Microstructural Observation of TiO2
    著者名 : A. Nakahira, Y. Fujita, T. Kubo, S. Eguchi, S. Nishida, Toshiyuki Isshiki
    掲載誌名 : Key Engineering Materials
    出版年月 : 2006年04月
    巻・号・頁 : 317-318, 89-92
  • Transmission Electron Microscopic Study on Thermal Decomposition Process of Calcium-Deficient Hydroxyapatite
    著者名 : M. Tamai, K. Nishio, T. Isshiki and A. Nakahira
    掲載誌名 : Key Engineering Materials
    出版年月 : 2006年04月
    巻・号・頁 : 317-318, 785-788
  • Transmission Electron Microscopic Observation of a Metastable Phase on the Thermal Decomposition Process of Ca-Deficient Hydroxyapatite
    著者名 : M. Tamai, T. Isshiki, K. Nishio, M. Nakamura, A. Nakahira and H. Endoh
    掲載誌名 : J. Materials Science
    出版年月 : 2006年02月
    巻・号・頁 : 41, 525-530
  • Influence of substrate roughness on the formation of defects in 3C-SiC grown on Si(110) substrate by hetero-epitaxial CVD method
    著者名 : T. Isshiki, M. Nakamura, T. Nishiguchi, K. Nishio, S. Ohshima and S. Nishino
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2005年02月
    巻・号・頁 : 483-485, 185-188
  • Lateral Epitaxial Overgrowth of 3C-SiC on Si Substrates by CVD Method
    著者名 : S. Sugishita, A. Shoji, Y. Mukai, T. Nishiguchi, K. Michikami, T. Isshiki, S. Ohshima and S. Nishino
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2005年02月
    巻・号・頁 : 483-485, 177-181
  • Microstructures in the Pendeo Epitaxial Layer of 3C-SiC on Si Substrate
    著者名 : A. Shoji, M. Nakamura, K. Mitikami, T. Isshiki, S. Ohshima and S. Nishino
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2005年02月
    巻・号・頁 : 483-485, 221-224
  • Suppression mechanism of double positioning growth in 3C-SiC(111) crystal by using an off-axis Si(110) substrate
    著者名 : M. Nakamura, T. Isshiki, T. Nishiguchi, K. Nishio, S. Ohshima and S. Nishino
    掲載誌名 : Materials Sience Forum
    出版年月 : 2005年02月
    巻・号・頁 : 483-485, 181-184
  • Suppression of the twin formation in CVD growth of (111) 3C-SiC on (110) Si substrate
    著者名 : T. Nishiguchi, M. Nakamura, K. Nishio, T. Isshiki, S. Ohshima, and S. Nishino
    掲載誌名 : Materials Sience Forum
    出版年月 : 2005年02月
    巻・号・頁 : 483-485, 193-196
  • Synthesis of Nanotube from a layered H2Ti4O9?H2O in a hydrothermal
    著者名 : A. Nakahira, M. Tamai, T. Isshiki and K. Nishio
    掲載誌名 : J. Materials Science
    出版年月 : 2004年08月
    巻・号・頁 : 39, 4239-4245
  • Generation Mechanism Model of Graphite Particle Inclusions in 6H-SiC Single Crystals Grown by Sublimation Boule Growth Technique
    著者名 : *T. Nishiguchi, M. Nakamura, T. Isshiki, S. Ohshima, S. Nishino
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2004年00月
    巻・号・頁 : 457-460, 47-50
  • Structural Analysis of (211) 3C-SiC on (211) Si Substrates Grown by Chemical Vapor Deposition, Materials Science Forum
    著者名 : *T. Nishiguchi, Y. Mukai, M. Nakamura, K. Nishio, T. Isshiki, S. Ohshima, S. Nishino
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2004年00月
    巻・号・頁 : 457-460, 285-288
  • Raman study of SWNTs grown by CCVD method on SiC
    著者名 : *T. Murakami, T. Sako, H. Harima, K. Kisoda, K. Mitikami, T. Isshiki
    掲載誌名 : Thin Solid Films
    出版年月 : 2004年00月
    巻・号・頁 : 464-465,319-322
  • Heteroepitaxial growth of (111) 3C-SiC on well-lattice-matched (110) Si substrates by chemical vapor deposition
    著者名 : *T. Nishiguchi, M. Nakamura, K Nishio, T. Isshiki, S. Nishino
    掲載誌名 : Appl. Phys. Lett.
    出版年月 : 2004年00月
    巻・号・頁 : 84,3082-3084
  • A Metastable Phase in Thermal Decomposition of Ca-Deficient Hydroxy-apatite
    著者名 : *M. Tamai, M. Nakamura, T. Isshiki, K. Nishio, H. Endoh, A. Nakahira
    掲載誌名 : J. Materials Science:Materials in Medicine,
    出版年月 : 2003年00月
    巻・号・頁 : 14, 617-622
  • Transmission Electron Microscopic Studies on an Initial Stage in the Conversion Process from a-Tricalcium Phosphate to Hydroxyapatite
    著者名 : *M. Tamai, T. Isshiki, K. Nishio, M. Nakamura, A. Nakahira, H. Endoh
    掲載誌名 : J. Materials Research
    出版年月 : 2003年00月
    巻・号・頁 : 18, 2633-2638
  • Amorphous Interfacial Phases in Al2O3/SiC Nanocomposites by Computer-Aided High-Resolution Electron Microscopy
    著者名 : *L.P. Ferroni, G. Pezzotti, T. Isshiki, H-J.Kleebe
    掲載誌名 : Acta Materialia
    出版年月 : 2001年00月
    巻・号・頁 : 49, 2109-2113
  • Characterization of Defects in 6H-type Epitaxially Grown Silicon Carbide Wafer by Cathodoluminescence Microscopy
    著者名 : *T. Isshiki, H. Saijo, S. Nishino, M. Shiojiri
    掲載誌名 : Solid State Phenomena
    出版年月 : 2001年00月
    巻・号・頁 : 78-79, 377-380
  • Multi-Band Cathodoluminescence Microscopy for Materials Science
    著者名 : *H. Saijo, T. Isshiki, M. Shiojiri
    掲載誌名 : Solid State Phenomena
    出版年月 : 2001年00月
    巻・号・頁 : 78-79, 133-138
  • Quantitative Intensity Measurement of Equal Thickness Fringes in Si and MgO Crystal Images with an Energy-Filtering Transmission Electron Microscope Using an Imaging Plate
    著者名 : Koji Nishio, Toshiyuki Isshiki, Makoto Shiojiri
    掲載誌名 : Journal of Electron Microscopy
    出版年月 : 2000年10月
    巻・号・頁 : 49 (5), 607-619
  • Electronic structure of AlFeN films exhibiting crystallographic orientation change from c- to a-axis with Fe concentrations and annealing effect
    著者名 : Nobuyuki Tatemizo, Saki Imada, Kizuna Okahara, Haruki Nishikawa, Kazuki Tsuruta, Toshiaki Ina, Yoshio Miura, Koji Nishio & Toshiyuki Isshiki
    掲載誌名 : Scientific Reports
    出版年月 : 2020年02月
    巻・号・頁 : 10, 1819 1-8
  • Microstructure of Stacking Fault Complex/Carrot Defects at the Interface between 4H-SiC Epitaxial Layers and Substrates
    著者名 : Hideki Sako, Kentaro Ohira, Kenji Kobayashi, Toshiyuki Isshiki
    掲載誌名 : J. Electronic Materials
    出版年月 : 2020年09月
    巻・号・頁 : 49(9).5213-5218
  • Three-Dimensional Observation of Internal Defects in a b-Ga2O3 (001) Wafer Using the FIB–SEM Serial Sectioning Method
    著者名 : KENICHI OGAWA , NAOYA OGAWA, RYO KOSAKA, TOSHIYUKI ISSHIKI, YONGZHAO YAO and YUKARI ISHIKAWA
    掲載誌名 : Journal of Electronic Materials
    出版年月 : 2020年09月
    巻・号・頁 : 49(9), 5150-5q95
  • Review and Detail Classification of Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layer by Mirror Projection Electron Microscopy
    著者名 : Kentaro Ohira, Toshiyuki Isshiki, Hideki Sako, Masaki Hasegawa, Kenji Kobayashi, Katsunori Onuki
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2020年07月
    巻・号・頁 : 1004, pp. 314-320
  • Structural Characterization of Prismatic Stacking Faults of Two Types of Carrot Defects in 4H-SiC Epi Wafers
    著者名 : Hideki Sako, Kentaro Ohira, Kenji Kobayashi, Toshiyuki Isshiki
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2020年07月
    巻・号・頁 : 1004, pp.421-426
  • Defects Characterization of GaN Substrate with Hot Implant Process
    著者名 : Junko Maekawa, Hitoshi Kawanowa, Masahiko Aoki, Katsumi Takahiro and Toshiyuki Isshiki
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2020年07月
    巻・号・頁 : 1004, pp.497-504
  • AFM observation of etch-pit shapes on β-Ga2O3 (001) surface formed by molten alkali etching
    著者名 : Kenichi Ogawa, Naoya Ogawa, Ryo Kosaka, Toshiyuki Isshiki, Toru Aiso, Masato Iyoki, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa
    掲載誌名 : Materials Science Forum
    出版年月 : 2020年07月
    巻・号・頁 : 1004, pp.512-518

著書等

  • エキスパート応用化学シリーズ 機器分析
    著者名 : 大谷肇,梅村知也,金子聡,伊藤彰英,森田成昭,桝飛雄真,一色俊之,石田康行,佐藤浩昭,高田主岳,朝倉克夫,保倉明子,江坂文孝,北川慎也,加地範匡,馬場嘉信,手嶋紀雄,西本右子 
    出版社名 : 講談社
    出版年月 : 2015年09月
  • 電子顕微鏡を用いた炭化珪素(SiC)の結晶欠陥評価
    著者名 : 一色 俊之
    出版年月 : 2015年03月
  • 次世代パワー半導体
    著者名 : 一色 俊之
    出版社名 : (株)エヌ・ティー・エス
    出版年月 : 2009年09月
  • 急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価[招待論文]
    著者名 : 一色俊之
    出版社名 : 電子情報通信学会
    出版年月 : 2006年12月
  • カソードルミネッセンス法による6H-SiC結晶中の欠陥観察
    著者名 : 一色 俊之
    出版社名 : (社)日本金属学会
    出版年月 : 2006年12月
  • ヘテロエピタキシャルCVD法で成長した3C-SiC/Si基板の界面構造
    著者名 : 一色 俊之
    出版社名 : (社)日本金属学会
    出版年月 : 2006年03月
  • DRIP IX
    著者名 : 一色俊之
    出版社名 : (社)日本電子顕微鏡学会
    出版年月 : 2002年07月
  • TG-MSによるBaTiO(C2O4)2・4H2Oの 熱分解およびBaTiO3の生成過程の検討
    著者名 : 一色俊之,
    出版社名 : TIC(株)
    出版年月 : 2000年12月

受賞

NO.受賞年月受賞名授与者
2015年02月第40回セラミックスに関する顕微鏡写真展 日本セラミックス協会学術写真賞 優秀賞日本セラミックス協会
1996年05月The Journal Award (Science), 1995 The Society for Imaging Science and Technology (USA)

科学研究費助成事業

NO.研究種目研究課題交付年度
奨励研究(A)高温高分解能電子顕微鏡法によるセラミックス電子材料の焼成過程の動的観察2001
奨励研究(A)高温高分解能電子顕微鏡法によるセラミックス電子材料の焼成過程の動的観察2000


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