廣木　彰　

プロフィール

取得学位

• 博士（工学）, 大阪大学, 2000年11月
• 修士（理学）, 千葉大学, 1985年03月

職歴（学外）

職歴（学内）

教育活動

担当授業

• 電子システム工学セミナーⅡ
• 電子システム工学セミナーⅢ
• 電子システム工学実験及び設計Ⅰ
• 電子システム工学実験及び設計Ⅱ
• アナログ電子回路
• 計算モデル論
• 集積回路工学特論
• FPGA回路設計
• 電子デバイス論

シラバス

研究活動

研究分野

• 研究分野:電子デバイス、電子機器
• 研究課題:
  • 半導体デバイスのモデリングとシミュレーション
• 知のシーズ:『知のシーズ集システムへのリンク』

所属学会

一般社団法人 日本音響学会, 一般社団法人 電気学会, 公益社団法人 応用物理学会, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 一般社団法人 電子情報通信学会

論文

• Investigation of Threshold Voltage Definition for Nanosheet MOSFETs by Using Quantum Drift Diffusion Model
  著者名 : Ryo Takanishi; Akira Hiroki
  掲載誌名 : IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
  出版年月 : 2024年02月
• Analysis of In_0.53Ga_0.47As n-MOSFET Characteristics using Quantum Drift Diffusion Model
  著者名 : Haruki Goto; Akira Hiroki
  掲載誌名 : IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
  出版年月 : 2023年02月
• Analysis of Quantum Confinement in Nanosheet FETs by Using a Quantum Drift Diffusion Model
  著者名 : Masashi Matsuda; Akira Hiroki
  掲載誌名 : IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
  出版年月 : 2022年11月
• Examination of Quantum Potential Coefficient in Quantum Drift Diffusion Model
  著者名 : Daiki Ito; Akira Hiroki
  掲載誌名 : IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
  出版年月 : 2020年11月
• Mobility Model Parameters of Strained Si by Using a Quantum Drift Diffusion Model
  著者名 : Yuki Tamiya; Akira Hiroki
  掲載誌名 : IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
  出版年月 : 2020年11月
• Analysis of nonequilibrium phenomena on electric characteristics of advanced MOSFETs by using a quantum energy transport model
  著者名 : Keisuke Inugai; Akira Hiroki
  掲載誌名 : ELECTRICAL ENGINEERING IN JAPAN
  出版年月 : 2020年06月
• Analysis of saturation velocity and energy relaxation time of electrons in Si using full-band Monte Carlo simulation
  著者名 : Koki Yoshihara; Akira Hiroki
  掲載誌名 : ELECTRICAL ENGINEERING IN JAPAN
  出版年月 : 2020年06月
• An Efficient and Accurate Time Step Control Method for Power Device Transient Simulation Utilizing Dominant Time Constant Approximation
  著者名 : Shigetaka Kumashiro; Tatsuya Kamei; Akira Hiroki; Kazutoshi Kobayashi
  掲載誌名 : IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS
  出版年月 : 2020年02月
• Analysis of electrical characteristics of advanced MOSFETs by using a quantum energy transport model
  著者名 : Tetsuya Hiraoka; Akira Hiroki
  掲載誌名 : IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
  出版年月 : 2019年
• Analysis of saturation velocity and energy relaxation time of electrons in Si using full-band monte carlo simulation
  著者名 : Koki Yoshihara; Akira Hiroki
  掲載誌名 : IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
  出版年月 : 2019年
• Analysis of non-equilibrium phenomena on electric characteristics of advanced mosfets by using a quantum energy transport model
  著者名 : Keisuke Inugai; Akira Hiroki
  掲載誌名 : IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
  出版年月 : 2019年
• A Robust Simulation Method for Breakdown with Voltage Boundary Condition Utilizing Negative Time Constant Information
  著者名 : Shigetaka Kumashiro; Tatsuya Kamei; Akira Hiroki; Kazutosi Kobayashi
  掲載誌名 : 2019 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD 2019)
  出版年月 : 2019年
• Angular dependence of nonparabolicity factor of silicon band structure
  著者名 : Nobuya Fujimoto; Akira Hiroki; Shin Hiratoko
  掲載誌名 : 2017 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2017年
• Angular dependence of nonparabolicity factor of energy band structures
  著者名 : Nobuya Fujimoto; Akira Hiroki; Shin Hiratoko
  掲載誌名 : 2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD 2017)
  出版年月 : 2017年
• An Accurate Metric to Control Time Step of Transient Device Simulation by Matrix Exponential Method
  著者名 : Shigetaka Kumashiro; Tatsuya Kamei; Akira Hiroki; Kazutoshi Kobayashi
  掲載誌名 : 2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD 2017)
  出版年月 : 2017年
• A simulation study of short channel effects with a QET model based on Fermi-Dirac statistics and nonparabolicity for high-mobility MOSFETs
  著者名 : Shohiro Sho; Shinji Odanaka; Akira Hiroki
  掲載誌名 : JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS
  出版年月 : 2016年03月
• Analysis of the inversion layer electron density distributions of Ta /Al2O3 MOSFETs
  著者名 : Taiki Fujimoto; Akira Hiroki; Takuma Katano
  掲載誌名 : IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
  出版年月 : 2016年
• Effects of nonparabolic band structure on intrinsic carrier concentration in In0.53Ga0.47As
  著者名 : Nobuya Fujimoto; Akira Hiroki; Shin Hiratoko
  掲載誌名 : 2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2016年
• Analysis of Inversion Layer Electron Density of InGaAs MOSFETs
  著者名 : Taiki Fujimoto; Akira Hiroki; Takuma Katano
  掲載誌名 : 2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2016年
• Evaluation of Initial Electron Distributions in Ensemble Monte Carlo Simulations
  著者名 : Shin Hiratoko; Akira Hiroki; Nobuya Fujimoto
  掲載誌名 : 2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2016年
• Gate Voltage Dependence of Channel Length Modulation for 14 nm FinFETs
  著者名 : Yuki Nariai; Akira Hiroki
  掲載誌名 : 2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2016年
• Effective Normal Field of Average Inversion Layer for InGaAs n-channel MOSFETs
  著者名 : Yuta Goto; Akira Hiroki; Akihiro Matsuda
  掲載誌名 : 2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2015年
• Evaluation of the extraction method of mobility in InGaAs n-MOSFETs
  著者名 : Akihiro Matsuda; Akira Hiroki; Yuta Goto
  掲載誌名 : 2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2015年
• Macromodeling of Operational Amplifiers for Compressor Circuit Design
  著者名 : Hirokazu Oda; Akira Hiroki; Yuki Yamatoya
  掲載誌名 : 2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2015年
• A simulation study of short channel effects with a QET model based on Fermi-Dirac statistics for Si, Ge and III-V MOSFETs
  著者名 : Shohiro Sho; Shinji Odanaka; Akira Hiroki
  掲載誌名 : 2015 JOINT INTERNATIONAL EUROSOI WORKSHOP AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON (EUROSOI-ULIS)
  出版年月 : 2015年
• A Fermi-Dirac Statistics Based Quantum Energy Transport Model for High Mobility MOSFETs
  著者名 : Shohiro Sho; Shinji Odanaka; Akira Hiroki
  掲載誌名 : JOURNAL OF ADVANCED SIMULATION IN SCIENCE AND ENGINEERING
  出版年月 : 2015年
• Macromodeling of Operational Amplifiers for Overdrive Circuit Design
  著者名 : Yuki Yamatoya; Akira Hiroki; Hirokazu Oda
  掲載誌名 : 2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2015年
• Gate Voltage Dependence of Channel Length Modulation for Ge p-channel MOSFETs
  著者名 : Yuta Goto; Akira Hiroki; Akihiro Matsuda; Masaaki Nakamura; JongChul Yoon
  掲載誌名 : 2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2014年
• Gate Voltage Dependence of Channel Length Modulation for InGaAs n-channel MOSFETs
  著者名 : Akihiro Matsuda; Akira Hiroki; Yuta Goto; Masaaki Nakamura; JongChul Yoon
  掲載誌名 : 2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2014年
• Germanium Diode Modeling for Sound Effect Circuit Design
  著者名 : Hirokazu Oda; Akira Hiroki; Takaaki Sano; Takaya Oyama
  掲載誌名 : 2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2014年
• Macromodeling of Operational Amplifiers for Sound Effect Circuit Design
  著者名 : Takaya Oyama; Akira Hiroki; Takaaki Sano
  掲載誌名 : 2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)
  出版年月 : 2014年
• Structural Dependence of Source-and-Drain Series Resistance on Saturation Drain Current for Sub-20 nm Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
  著者名 : JongChul Yoon; Akira Hiroki; Kazutoshi Kobayashi
  掲載誌名 : JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  出版年月 : 2013年07月
• Higher-Order Effect of Source-Drain Series Resistance on Saturation Drain Current in Sub-20nm Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
  著者名 : JongChul Yoon; Akira Hiroki; Kazutoshi Kobayashi
  掲載誌名 : JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  出版年月 : 2012年11月
• An estimation of the inversion charge influenced by quantum effect for sub-20nm MOSFETs
  著者名 : Masahiro Yamamoto; Akira Hiroki; Jong Chul Yoon
  掲載誌名 : IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  出版年月 : 2012年
• Structure dependence of reduced saturation current influenced by source and drain resistances for 17 nm MOSFETs
  著者名 : Jong Chul Yoon; Akira Hiroki; Kazutoshil Kobayashi
  掲載誌名 : IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  出版年月 : 2012年
• Effects of Source and Drain Resistances on Analytical Model Parameters for 20nm MOSFETs
  著者名 : Jong Chul Yoon; Yasunari Nakade; Akira Hiroki; Fumitaka Inoue; Kenji Tomiyama
  掲載誌名 : IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
  出版年月 : 2011年
• An estimation of saturation current influenced by source and drain resistances for sub-20nm MOSFETs
  著者名 : Jong Chul Yoon; Akira Hiroki; Takaaki Sano; Kazutoshi Kobayashi
  掲載誌名 : IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  出版年月 : 2011年
• An estimation of inversion-layer EOT influenced by quantum effects for sub-20nm MOSFETs
  著者名 : Masahiro Yamamoto; Akira Hiroki; Jong Chul Yoon
  掲載誌名 : IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  出版年月 : 2011年
• An Analytical MOSFET Model Including Gate Voltage Dependence of Channel Length Modulation Parameter for 20nm CMOS
  著者名 : Akira Hiroki; Akihiro Yamate; Masayoshi Yamada
  掲載誌名 : PROCEEDINGS OF ICECE 2008, VOLS 1 AND 2
  出版年月 : 2008年
• Modeling of strain induced by compositional variation in wafer-shaped bulk mixed crystals
  著者名 : Md Rafiqul Islam; Prabhat Verma; Akira Hiroki; Masayoshi Yamada
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
  出版年月 : 2004年08月
• Modeling and analytical calculation of strain induced by gradual variation of composition in bulk InxGa1-xAs mixed crystal
  著者名 : Md Rafiqul Islam; Akira Hiroki; Masayoshi Yamada
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
  出版年月 : 2004年03月
• Probability distribution of threshold voltage fluctuations in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors
  著者名 : Nobuyuki Sano; Kazuya Matsuzawa; Akira Hiroki; Noriaki Nakayama
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
  出版年月 : 2002年05月
• Device modeling and simulations toward sub-10 nm semiconductor devices
  著者名 : Nobuyuki Sano; Akira Hiroki; Kazuya Matsuzawa
  掲載誌名 : IEEE Transactions on Nanotechnology
  出版年月 : 2002年
• Double pocket architecture using indium and boron for sub-100 nm MOSFETs
  著者名 : S. Odanaka; A. Hiroki; K. Yamashita; K. Nakanishi; T. Noda
  掲載誌名 : IEEE Electron Device Letters
  出版年月 : 2001年07月
• Potential design and transport property of 0.1-μm MOSFET with asymmetric channel profile
  著者名 : S. Odanaka; A. Hiroki
  掲載誌名 : IEEE Transactions on Electron Devices
  出版年月 : 1997年04月
• Experimental Study of Impact Ionization Phenomena in Sub- 0.1 µm Si Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs)
  著者名 : Atsushi Hori; Akira Hiroki; Kaori Moriyama Akamatsu Kaori Moriyama Akamatsu; Shinji Odanaka Shinji Odanaka
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 1996年02月
• A high performance 0.1 μm MOSFET with asymmetric channel profile
  著者名 : A. Hiroki; S. Odanaka; A. Hori
  掲載誌名 : Proceedings of International Electron Devices Meeting
  出版年月 : 1995年12月
• Quarter-micrometer SPI (Self-aligned Pocket Implantation) MOSFET's and its application for low supply voltage operation
  著者名 : A. Hori; A. Hiroki; H. Nakaoka; M. Segawa; T. Hori
  掲載誌名 : IEEE Transactions on Electron Devices
  出版年月 : 1995年01月
• High carrier velocity and reliability of quarter-micron SPI (Self-aligned Pocket Implantation) MOSFETs
  著者名 : Hori; Hiroki; Segawa; Hori; Shinohara; Yasuhira; Akiyama
  掲載誌名 : International Technical Digest on Electron Devices Meeting
  出版年月 : 1992年12月
• Gate-oxide thickness dependence of hot-carrier-induced degradation in buried p-MOSFET's
  著者名 : A. Hiroki; S. Odanaka
  掲載誌名 : IEEE Transactions on Electron Devices
  出版年月 : 1992年05月
• SMART-II: a three-dimensional CAD model for submicrometer MOSFET's
  著者名 : S. Odanaka; A. Hiroki; K. Ohe; K. Moriyama; H. Umimoto
  掲載誌名 : IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems
  出版年月 : 1991年05月
• A spillover effect of avalanche-generated electrons in buried p-channel MOSFET's
  著者名 : S. Odanaka; A. Hiroki
  掲載誌名 : IEEE Electron Device Letters
  出版年月 : 1991年05月
• Gate-oxide thickness dependence of hot-carrier-induced degradation in buried p-MOSFETs
  著者名 : S. Odanaka; A. Hiroki
  掲載誌名 : International Technical Digest on Electron Devices
  出版年月 : 1990年12月
• A spill over effect of avalanche generated electrons in buried pMOSFETs
  著者名 : A. Hiroki; S. Odanaka; T. Morii
  掲載誌名 : Digest of Technical Papers.1990 Symposium on VLSI Technology
  出版年月 : 1990年06月
• A mobility model for submicrometer MOSFET simulations including hot-carrier-induced device degradation
  著者名 : A. Hiroki; S. Odanaka; K. Ohe; H. Esaki
  掲載誌名 : IEEE Transactions on Electron Devices
  出版年月 : 1988年09月
• A mobility model for submicrometer MOSFET device simulations
  著者名 : A. Hiroki; S. Odanaka; K. Ohe; H. Esaki
  掲載誌名 : IEEE Electron Device Letters
  出版年月 : 1987年05月
• Gauge Theories of Massless Antisymmetric Tensor-Spinor Fields of Higher Ranks and Superspace Formalism
  著者名 : R. Najima; A. Hiroki; S. Kawasaki; T. Kimura
  掲載誌名 : Progress of Theoretical Physics
  出版年月 : 1986年01月

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