吉本 昌広 

所属部署法人本部
職名理事・副学長
Last Updated :2021/09/16

プロフィール

取得学位

  • 修士(工学), 京都大学, 1985年03月
  • 博士(工学), 京都大学, 1988年03月

職歴(学外)

  • 1988年04月~1995年10月, 京都大学工学部, 助手
  • 1995年10月~1997年02月, 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻, 講師
  • 職歴(学内)

  • 1997年03月~2004年03月, 京都工芸繊維大学, 助教授
  • 2004年04月~, 京都工芸繊維大学, 教授
  • 研究室ホームページ

    教育活動

    担当授業

    • 電子デバイス
    • 電子デバイス特論
    • 実践プロセスデザインⅠ
    • 実践プロセスデザインⅡ
    • パワー半導体デバイス論

    シラバス

    『シラバスシステムへのリンク』

    研究活動

    研究分野

    • 研究分野:結品工学, 電子・電気材料工学, 薄膜・表面界面物性, 電子デバイス・電子機器
    • 研究課題:
      • シリコン極浅pn接合の光学的・電気的評価
      • ビスマス半金属・半導体合金GaNAsBiの創製と光通信用新型レーザの開発

    所属学会

      応用物理学会, 電子通信情報学会, 電気学会, Electrochemical Society(米国電気化学会), IEEE (米国電気電子学会), 米国材料学会, 日本材料学会

    論文

    • Van der Waals epitaxy of ferroelectric ϵ-gallium oxide thin film on flexible synthetic mica
      著者名 : Y. Arata, H. Nishinaka, D. Tahara, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : MFEDK 2019 - International Meeting for Future of Electron Devices, KansaiNovember 2019, Article number 8950694,
      出版年月 : 2020年02月
      巻・号・頁 : Volume 59, Issue 2, 2020, Article number 025503
    • Impact of a small change in growth temperature on the tail states of GaAsBi
      著者名 : K. Kakuyama, S. Hasegawa, H.Nishinaka, M. Yoshimoto,
      掲載誌名 : Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2019年07月
      巻・号・頁 : Volume 126, Issue 4, Article number 045702
    • Growth and characterization of F-doped α-Ga2O3 thin films with low electrical resistivity
      著者名 : Shota Morimoto, Hiroyuki Nishinaka, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Thin Solid Films
      出版年月 : 2019年07月
      巻・号・頁 : 682, 18-23
    • PEDOT:PSS/GaAs1−x Bi x organic–inorganic solar cells
      著者名 : Sho Hasegawa, Kyohei Kakuyama, Hiroyuki Nishinaka and Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2019年05月
      巻・号・頁 : Volume 58, Number 6, 060907
    • Use of mist chemical vapor deposition to impart ferroelectric properties to ε-Ga2O3 thin films on SnO2/c-sapphire substrates
      著者名 : D. Tahara, H. Nishinaka, M. Noda, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : Materials Letters
      出版年月 : 2018年12月
      巻・号・頁 : 232, 47-50
    • Localized thinning for strain concentration in suspended germanium membranes and optical method for precise thickness measurement
      著者名 : P. O. Vaccaro, M. I. Alonso, M. Garriga, J. Gutiérrez, D. Peró, M. R. Wagner, J. S. Reparaz, C. M. Sotomayor Torres, X. Vidal, E. A. Carter, P. A. Lay, M. Yoshimoto, and A. R. Goñi
      掲載誌名 : AIP Advances
      出版年月 : 2018年11月
      巻・号・頁 : 8, 115131 (11 pages)
    • Microstructures and rotational domains in orthorhombic ϵ-Ga2O3 thin films
      著者名 : H. Nishinaka, H. Komai, D.Tahara, Y. Arata, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2018年11月
      巻・号・頁 : 57, 115601
    • Heteroepitaxial growth of single-phase ϵ-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire by mist chemical vapor deposition using a NiO buffer layer
      著者名 : Y. Arata, H. Nishinaka, D. Tahara, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : CrystEngComm
      出版年月 : 2018年08月
      巻・号・頁 : 20, 6236-6242
    • Mist Chemical Vapor Deposition of Single-Phase Metastable Rhombohedral Indium Tin Oxide Epitaxial Thin Films with High Electrical Conductivity and Transparency on Various α-Al2O3 Substrates
      著者名 : H. Nishinaka, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : Crystal Growth and Design
      出版年月 : 2018年07月
      巻・号・頁 : 18, 4022-4028
    • Heteroepitaxial growth of ε-(AlxGa1−x)2O3 alloy films on c-plane AlN templates by mist chemical vapor deposition
      著者名 : Tahara Daisuke, Hiroyuki Nishinaka, Shota Morimoto, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Appl. Phys. Lett.
      出版年月 : 2018年04月
      巻・号・頁 : 112, 152102(5 pages)
    • Incorporation of indium into ε-gallium oxide epitaxial thin films grown via mist chemical vapour deposition for bandgap engineering
      著者名 : Hiroyuki Nishinaka, Nobutaka Miyauchi, Daisuke Tahara, Shota Morimoto, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : CrystEngComm
      出版年月 : 2018年02月
      巻・号・頁 : 20, pp.1882-1888
    • Stoichiometric control for heteroepitaxial growth of smooth ϵ-Ga2O3 thin films on c-plane AlN templates by mist chemical vapor deposition
      著者名 : Daisuke Tahara Hiroyuki Nishinaka Shota Morimoto Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Jpn. J. Appl. Phys
      出版年月 : 2017年07月
      巻・号・頁 : 56, 078004
    • Heteroepitaxial growth of ϵ-Ga2O3 thin films on cubic (111) GGG substrates by mist chemical vapor deposition
      著者名 : Daisuke Tahara Hiroyuki Nishinaka Shota Morimoto Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : 2017 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
      出版年月 : 2017年06月
      巻・号・頁 : INSPEC Accession Number: 17067171 ,48
    • Epitaxial growth of α-Ga2O3 thin films on a-, m-, and r-plane sapphire substrates by mist chemical vapor deposition using α-Fe2O3 buffer layers
      著者名 : Hiroyuki Nishinaka Daisuke Tahara Shota Morimoto Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Mater. Lett.
      出版年月 : 2017年06月
      巻・号・頁 : 205,.28-31
    • Heteroepitaxial growth of epsilon-Ga2O3 thin films on cubic MgO (111) and YSZ (111) substrates by mist chemical vapor deposition
      著者名 : H. Nishinaka, D. Tahara, and M. Yoshimoto
      掲載誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
      出版年月 : 2016年12月
      巻・号・頁 : 55,1202BC
    • Micro-raman characterization of cluster carbon implanted si before and after rapid thermal annealing
      著者名 : W.S. Yoo, K. Kang, H. Nishigaki, N. Hasuike, H. Harima, M. Yoshimoto, K. Sekar,
      掲載誌名 : ECS Transactions
      出版年月 : 2016年10月
      巻・号・頁 : Vol 75, No. 8, 605-613
    • Solution-based mist CVD technique for CH3NH3Pb(Br1-xClx)3 inorganic-organic perovskites
      著者名 : H. Nishinaka, and M. Yoshimoto
      掲載誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
      出版年月 : 2016年09月
      巻・号・頁 : 55,100308
    • ビスマス系化合物半導体によるレーザーダイオード
      著者名 : 吉本昌広
      掲載誌名 : 応用物理
      出版年月 : 2016年02月
      巻・号・頁 : 第85巻 第2号113-117 ページ
    • Temperature dependence of photoluminescence spectra from crystalline silicon
      著者名 : W. S. Yoo, K. Kang, G. Murai, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : ECS J. Solid State Sci. Technol.
      出版年月 : 2015年10月
      巻・号・頁 : 4 (2015) P456-P461
    • Polarized raman signals from Si wafers: Dependence of in-plane incident orientation of probing light
      著者名 : W.S. Yoo, H. Harima, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : ECS J. Solid State Sci. Technol.
      出版年月 : 2015年07月
      巻・号・頁 : 4 (2015) P356-P363
    • Room temperature Photoluminescence characterization of low dose As+ implanted Si after rapid thermal annealing
      著者名 : W.S. Yoo, M. Yoshimoto, A. Sagara, S.Shibata
      掲載誌名 : ECS Solid State Lett.
      出版年月 : 2015年03月
      巻・号・頁 : 4 (2015) P51-P54
    • Characterization of hetero-epitaxial Ge films on Si using multiwavelength micro-raman spectroscopy
      著者名 : W.S. Yoo, K. Kang, T. Ueda, T. Ishigaki, H. Nishigaki, N. Hasuike, H. Harima, M. Yoshimoto, C.S. Tan
      掲載誌名 : ECS J. Solid State Sci. Technol.,
      出版年月 : 2014年11月
      巻・号・頁 : 4 (2015) P9-P15
    • Electrically pumped room-temperature operation of GaAs1-xBix laser diodes with low-temperature dependence of oscillation wavelength
      著者名 : T. Fuyuki, K. Yoshida, R. Yoshioka,, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Appl. Phys. Express
      出版年月 : 2014年07月
      巻・号・頁 : 7, 082101(4 pages).
    • Ultraviolet (UV) raman characterization of ultra- Shallow ion implanted silicon
      著者名 : W.S. Yoo, K. Kang, T. Ueda, T. Ishigaki, H. Nishigaki, N. Hasuike, H.Harima, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : Proc. Int. Conf. Implantation Technol. 2014
      出版年月 : 2014年07月
      巻・号・頁 : INSPEC Accession Number:14702977 (4 pages)
    • Detection of Ge and Si intermixing in Ge/Si using multiwavelength micro-Raman spectroscopy
      著者名 : W.S. Yoo, K. Kang, T. Ueda, T. Ishigaki, , H. Nishigaki, N. Hasuike, H. Harima, M. Yoshimoto, C.S. Tan
      掲載誌名 : ECS Transactions
      出版年月 : 2014年06月
      巻・号・頁 : 64 (2014) 79-88
    • Junction formation via direct bonding of Si and 6H-SiC
      著者名 : Y. Sasada, T. Kurumi, H. Shimizu, H. Kinoshita, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Mater. Sci. Forum
      出版年月 : 2014年02月
      巻・号・頁 : 778-780, 714-717
    • Long-wavelength emission in photo-pumped GaAs1-xBix laser with low temperature dependence of lasing wavelength
      著者名 : Takuma Fuyuki, Ryo Yoshioka, Kenji Yoshida, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Appl. Phys. Lett.
      出版年月 : 2013年11月
      巻・号・頁 : 103, 202105 (4ページ)
    • GaAs1-xBixおよびGaAs/GaAs1-xBixヘテロ界面における局在準位
      著者名 : 冬木琢真、伊藤瑞記、角浩輔, 吉本 昌広
      掲載誌名 : 材料
      出版年月 : 2013年11月
      巻・号・頁 : 62巻11号 672-678
    • Quantitative estimation of density of Bi-induced localized states in GaAs1-xBix grown by molecular beam epitaxy
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, Mizuki Itoh, Yoriko Tominaga, Kunishige Oe
      掲載誌名 : J. Cryst. Growth
      出版年月 : 2013年09月
      巻・号・頁 : 378, 73-76
    • Formation and Characterization of Nickel Germanosilicide on Si1-xGex/Si/SiO2/Si
      著者名 : Woo Sik Yoo, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : ECS Trans.
      出版年月 : 2013年09月
      巻・号・頁 : 50, 1073-1080
    • Characterization of ion implanted silicon using UV Raman and multiwavelength photoluminescence for in-line dopant activation monitoring
      著者名 : W.S. Yoo, T. Ishigaki, T. Ueda, K. Kang, N. Hasuike, H. Harima, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : Ext. Abst. 13th Int. Workshop on Junction Technology (IWJT) 2013
      出版年月 : 2013年06月
      巻・号・頁 : pp.41-44
    • Photoluminescence Characterization of Defects in Rapidly Annealed Ultra Shallow Junctions
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, Masashi Okutani, Gota Murai, Shuji Tagawa, Hiroki Saikusa, Shuhei Takashima, Woo Sik Yoo
      掲載誌名 : ECS J. Solid State Sci. Technol.
      出版年月 : 2013年03月
      巻・号・頁 : Volume 2, Issue 5, P195-P204
    • Interface State in p-Type GaAs/GaAs1-xBix Heterostructure
      著者名 : Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
      出版年月 : 2012年11月
      巻・号・頁 : 51 (2012) 11PC02 (1-5)
    • Defect Detection in Recrystallized Ultra-Shallow Implanted Silicon by Multiwavelength-Excited Photoluminescence
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, Masashi Okutani, Hiroki Saikusa, Shuhei Takashima, Woo Sik Yoo
      掲載誌名 : AIP Conf. Proc.
      出版年月 : 2012年11月
      巻・号・頁 : 1496 (2012) 160-163
    • Structure of Directly Bonded Interfaces between Si and SiC
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, Ryosuke Araki, Takamasa Kurumi, and Hiroyuki Kinoshita
      掲載誌名 : ECS Transactions: Semiconductor wafer Bonding 12
      出版年月 : 2012年10月
      巻・号・頁 : 50 (7) (2012) 61-70
    • Study of the Deep Levels of a GaAs/p-GaAs1-xBix Heterostructure Grown by Molecular Beam Epitaxy
      著者名 : Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : MRS Proceedings
      出版年月 : 2012年10月
      巻・号・頁 : 1432, 27-32 .
    • Study of the Deep Levels of a GaAs/p-GaAs1-xBix Heterostructure Grown by Molecular Beam Epitaxy
      著者名 : Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : MRS Proceedings
      出版年月 : 2012年05月
      巻・号・頁 : 1432 (2012) 27-32
    • High hole mobility in GaAs1-xBix alloys
      著者名 : K. Kado, T. Fuyuki, K. Yamada, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2012年04月
      巻・号・頁 : 51, 040204-1-040204-3
    • Photo-pumped GaAs1-xBix lasing operation with low-temperature-dependent oscillation wavelength
      著者名 : Y. Tominaga,, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Proceedings of the SPIE
      出版年月 : 2012年02月
      巻・号・頁 : 8277, 827702-1- 827702-6,
    • Deep-Hole Traps in p-Type GaAs1-xBix Grown by Molecular Beam Epitaxy
      著者名 : Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Yoriko Tominaga, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Jpn J. Appl. Phys.
      出版年月 : 2011年08月
      巻・号・頁 : 50, 080203
    • Study of Multi-wavelength-excited photoluminescence on recrystallization of ultra-shallow implanted silicon
      著者名 : M. Okutani, H. Saikusa, S. Takashima, Masahiro Yoshimoto, W. S. Yoo
      掲載誌名 : Ext. Abs. 11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011)
      出版年月 : 2011年06月
      巻・号・頁 : IEEE Cat No. CFP11796-ART, 114-116
    • Structural evaluation of GaAs1-xBix mixed crystals by TEM
      著者名 : O. Ueda, Y. Tominaga, Masahiro Yoshimoto, N. Ikenaga, Kunishige Oe
      掲載誌名 : Proceedings of Compound Semiconductor Week (CSW/IPRM), 2011 and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
      出版年月 : 2011年05月
      巻・号・頁 : 1月4日
    • Temperature-insensitive photoluminescence emission wavelength in GaAs1-xBix/GaAs multiquantum wells
      著者名 : Yoriko Tominaga, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : phys. stat. sol. (c)
      出版年月 : 2011年02月
      巻・号・頁 : 8, No.2, 260-262
    • Non-Contact and Non-Destructive Characterization Alternatives of Ultra-Shallow Implanted Silicon p-n Junctions by Multi-Wavelength Raman and Photoluminescence Spectroscopy
      著者名 : Woo Sik Yoo, Takeshi Ueda, Toshikazu Ishigaki, Kitaek Kang, Masashi Fukumoto, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : J. Electrochem. Soc.,
      出版年月 : 2011年01月
      巻・号・頁 : 158, H80-H84
    • A Deep Level Transient Spectroscopy Study on Recrystallization of Ultra-Shallow Implanted Silicon
      著者名 : Masashi Okutani, Syuhei Takashima, Masahiro Yoshimoto, Woo Sik Yoo
      掲載誌名 : Proc. Int. Conf. Ion Implantation Technology 2010 (IIT 2010), Kyoto, AIP Conf. Proc. 1321
      出版年月 : 2010年12月
      巻・号・頁 : pp.200-203
    • Non-contact and non-destructive characterization of shallow implanted silicon pn junctions using ultra-violet Raman spectroscopy
      著者名 : M. Fukumoto, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Masahiro Yoshimoto, Woo Sik Yoo
      掲載誌名 : Proc. Int. Conf. Ion Implantation Technology 2010 (IIT 2010), Kyoto, AIP Conf. Proc. 1321
      出版年月 : 2010年12月
      巻・号・頁 : pp.208-211
    • Growth of GaAs1-xBix/ AlyGa1-yAs multi-quantum-well structures
      著者名 : Takuma Fuyuki, Yoriko Tominaga,, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2010年07月
      巻・号・頁 : 49 (7) 0702111 (3ページ)
    • Low Temperature Dependence of Oscillation Wavelength in GaAs1-xBix Laser by Photo-Pumping
      著者名 : Yoriko Tominaga, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Appl. Phys. Express
      出版年月 : 2010年06月
      巻・号・頁 : 3 (6) 062201 (3ページ)
    • Effects of Excitation Power and Temperature on Photoluminescence from Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
      著者名 : Mitsutaka Nakamura, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2010年01月
      巻・号・頁 : 49 (2010) 010202
    • Photoluminescence Study on Ion Implanted Silicon after Rapid Thermal Annealing
      著者名 : Shuhei Takashima, Woo Sik Yoo, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : ECS Transactions
      出版年月 : 2009年06月
      巻・号・頁 : Vol. 19, Issue 1, 147
    • Characterization of Schottky diodes on 4H-SiC with various off-axis angles grown by sublimation epitaxy
      著者名 : (Mitsutaka Nakamura, Yoshikazu Hashino), Tomoaki Furusho, Hiroyuki Kinoshita, Hiromu Shiomi, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Materials Science Forum
      出版年月 : 2009年01月
      巻・号・頁 : 600-603 (2009) pp 967-970
    • TEM Observation of the Polytype Transformation of Bulk SiC Ingot
      著者名 : (Masahiko Aoki, Megumi Miyazaki, Taro Nishiguchi, Hiroyuki Kinoshita), Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Materials Science Forum
      出版年月 : 2009年01月
      巻・号・頁 : 600-603 (2009) pp 55-58
    • Structural investigation of GaAs1-xBix/GaAs multiquantum wells
      著者名 : Yoriko Tominaga, Yusuke Kinoshita, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Appl. Phys. Lett.
      出版年月 : 2008年10月
      巻・号・頁 : 93 (13) 131915 (3ページ)
    • Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistor on Si-on-SiC directly bonded wafers with high thermal conductance
      著者名 : (Hiroshi Shinohara, Hiroyuki Kinoshita), Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Appl. Phys. Lett.
      出版年月 : 2008年09月
      巻・号・頁 : 93, (12) 122110 (3ページ)
    • Growth of GaAs1-xBix/GaAs multi-quantum wells by molecular beam epitaxy
      著者名 : (Yoriko Tominaga, Yusuke Kinoshita), Gan Feng, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : phys. stat. sol. (c)
      出版年月 : 2008年05月
      巻・号・頁 : 5 (9) 2719-2721
    • Mluti-wavelength Raman and HRTEM study of Ni/Si interface after NiSi formation at low temperatures using various heating methods
      著者名 : T.Sasaki, H.Minami, H.Harima, T. Isshiki, M.Yoshimoto, W.S. Yoo
      掲載誌名 : ECS Transactions
      出版年月 : 2008年01月
      巻・号・頁 : Volume 13, Issue 1, Pages 405-412
    • Influence of Thermal Annealing Treatment on the Luminescence Properties of Dilute GaNAs Bismide Alloy
      著者名 : G. Feng, M. Yoshimoto, K.Oe
      掲載誌名 : Jpn. J. Appl. Phys.
      出版年月 : 2007年08月
      巻・号・頁 : 46 (2007) L764-L766
    • Annealing effects of diluted GaAs nitride and bismide on photoluminescence
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, Gan Feng, Kunishige Oe
      掲載誌名 : ECS Transaction
      出版年月 : 2007年06月
      巻・号・頁 : 6 (2) 45-51
    • Temperature dependence of Bi behaviors in MBE growth of InGaAs
      著者名 : G. Feng, K. Oe, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : J. Crystal Growth
      出版年月 : 2007年01月
      巻・号・頁 : 301-302 (2007) 121-124
    • Molecular Beam Epitaxy of GaNAsBi Layer for Temperature-Insentive Wavelength
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, (W.Huang, G. Feng,Y.Tanaka), K.Oe
      掲載誌名 : J. Crystal Growth
      出版年月 : 2007年01月
      巻・号・頁 : 301-302 (2007) 975-978
    • 6H-SiC homoepitaxial growth and optical property of boron- and nitrogen-doped donor-acceptor pair (DAP) emission on 1degrees-off substrate by closed-space sublimation method
      著者名 : (Y. Kawai, T. Maeda, Y. Nakamura, Y. Sakurai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki), M. Yoshimoto, (T. Furusho, H. Kinoshita, H. Shiomi)
      掲載誌名 : Materials Science Forum,
      出版年月 : 2006年10月
      巻・号・頁 : 527-529 (2006) 263-6.
    • GaNAsBi Semiconductor Alloy with Temperature-Insensitive Bandgap
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, (W. Huang, G. Feng), K. Oe
      掲載誌名 : Mat. Res. Soc. Symp. Proc.
      出版年月 : 2006年08月
      巻・号・頁 : 891(2006) pp.B11.6.1-B11.6.6.
    • Bismuth containing III-V quaternary alloy InGaAsBi grown by MBE
      著者名 : G. Feng, K. Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : phys. stat. solidi (a)
      出版年月 : 2006年08月
      巻・号・頁 : 203 (2006) 2670-2673
    • High-Speed and High-Quality Epitaxial Growth of 6H-SiC by Closed Sublimation Method
      著者名 : (Tomohiko Maeda, Yoshihiro Nakamura, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki, Tomoaki Furusho, Hiroyuki Kinoshita ), Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Mat. Res. Soc. Symp. Proc.
      出版年月 : 2006年08月
      巻・号・頁 : 891 (2006). 597-601.
    • Application of UV-Raman spectroscopy for characterization of the physical crystal structure following flash anneal of an ultrashallow implanted Layer
      著者名 : M. Yoshimoto, H. Nishigaki, H. Harima, T. Isshiki, K. Kitaek, W.S.Yoo
      掲載誌名 : J. Electrochemical Soc.
      出版年月 : 2006年07月
      巻・号・頁 : 153, G697-702
    • New semiconductor alloy GaNAsBi with temperature-insensitive bandgap
      著者名 : M. Yoshimoto, Wei Huang, G. Feng, K. Oe
      掲載誌名 : phys. stat. solidi (b)
      出版年月 : 2006年06月
      巻・号・頁 : 243,1421-1425
    • Extremely high quantum efficiency of donor-acceptor-pair emission in N-and-B-doped 6H-SiC
      著者名 : S. Kamiyama, T. Maeda, Y. Nakamura, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita, T. Furusho,, M. Yoshimoto, T. Kimoto, J. Suda, IG Ivanov, JP. Bergman, B. Monemar, T. Onuma, SF. Chichibu
      掲載誌名 : J. Appl. Phys.
      出版年月 : 2006年05月
      巻・号・頁 : 99, 93108 1-6
    • Influence of Mn incorporation on MBE growth of (In,Mn)N
      著者名 : G. Feng, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : J. Electronic Materials
      出版年月 : 2006年02月
      巻・号・頁 : 35, 319-322
    • Temperature-insensitive refractive index of GaAsBi alloy for laser diode in WDM optical communication
      著者名 : K. Yamashita, M. Yoshimoto, K.Oe
      掲載誌名 : phys. stat. solidi (c)
      出版年月 : 2006年02月
      巻・号・頁 : Vol.3, No.3, 693-696
    • Lattice distortion of GaAsBi alloy grown on GaAs by molecular beam epitaxy
      著者名 : Y. Takehara, M. Yoshimoto, W.Huang, J. Saraie, K.Oe, A. Chayahara、Y.Horino
      掲載誌名 : Jpn J. Appl. Phys.
      出版年月 : 2006年01月
      巻・号・頁 : 45, 67-69
    • New III-V semiconductor InGaAsBi alloy grown by molecular beam epitaxy
      著者名 : W. Huang, M. Yoshimoto, K. Oe, A. Chayahara, Y.Horino
      掲載誌名 : Jpn J. Appl. Phys.
      出版年月 : 2005年09月
      巻・号・頁 : 44, L1161-L1163
    • Molecular-beam epitaxy and characteristics of GaNyAs1-x-yBix
      著者名 : W. Huang, K. Oe, G. Feng, M. Yoshimoto
      掲載誌名 : J.Appl. Phys.
      出版年月 : 2005年09月
      巻・号・頁 : 98, 053505 1-6
    • MBE-grown GaNAsBi matched to GaAs with 1.3-μm emission wavelength
      著者名 : M. Yoshimoto, W. Huang, J. Saraie, K.Oe
      掲載誌名 : Mat. Res. Soc. Symp. Proc.
      出版年月 : 2005年03月
      巻・号・頁 : 829, 523-528
    • 有機液体原料を用いたラジカルビーム堆積法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積
      著者名 : 田口貢士, 吉本昌広, 更家淳司
      掲載誌名 : 材料
      出版年月 : 2004年12月
      巻・号・頁 : 53、1318-1322
    • Dense Structure of SiNx films fabricated by radical beam deposition method using hexamethyldisilazane
      著者名 : K. Taguchi, M. Yoshimoto, J. Saraie
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2004年11月
      巻・号・頁 : 43, L403-L1405
    • GaNyAs1-x-yBi alloy lattice matched to GaAs with 1.3 μm photoluminescence emission
      著者名 : M. Yoshimoto,, W. Huang, Y. Takehara, J. Saraie, K. Oe
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2004年10月
      巻・号・頁 : 43, L1350-L1352
    • New semiconductor GaNAsBi alloy grown by molecular beam epitaxy
      著者名 : M. Yoshimoto, W. Huang, Y. Takehara, J. Saraie, A. Chayahara, Y. Horino, K. Oe
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2004年07月
      巻・号・頁 : 43, L845-L847
    • Molecular Beam of Quaternary Semiconductor Alloy GaNAsBi
      著者名 : W. Huang, M. Yoshimoto, Y. Takehara, J. Saraie, A. Chayahara, Y. Horino and, K. Oe
      掲載誌名 : Proc. 16th International. Conference Indium Phosphide and Related Materials(IPRM16)
      出版年月 : 2004年05月
      巻・号・頁 : pp.876-881.
    • Reduction of carbon impurity in silicon nitride films deposited from metalorganic source
      著者名 : Kohshi Taguchi, Masahiro Yoshimoto, Junji Saraie
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2004年02月
      巻・号・頁 : 43, L148-L150
    • Improved electrical properties of InN by high-temperature annealing with in situ capped SiNx layers
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, Wei Huang, Kohshi Taguchi, Hiroshi Harima, Junji Saraie
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2004年01月
      巻・号・頁 : 43, L97-L99
    • Spectroscopic observation of oxidation process in InN
      著者名 : E. Kurimoto, M. Hangyo, H. Harima, M. Yoshimoto,, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi, K. Kisoda
      掲載誌名 : Appl. Phys. Lett.
      出版年月 : 2004年01月
      巻・号・頁 : 84, 212-214
    • Fabrication of InN/Si heterojunction with rectifying characteristics
      著者名 : M. Yoshimoto, Y.Yamamoto, J. Saraie
      掲載誌名 : physica statue soldi C
      出版年月 : 2003年12月
      巻・号・頁 : 0, 2794-2797
    • GaAsBi semiconductor alloy towards temperature-insensitive wavelength laser diodes
      著者名 : Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Proc. 12th Int. Workshop Phys. Semicond. Dev. (IWPSD 2003), Chennai, India
      出版年月 : 2003年12月
      巻・号・頁 : pp.876-881.
    • Metastable GaAsBi alloy grown by molecular beam epitaxy
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, Satoshi Murata, Akiyoshi Chayahara, Yuji Horino, Junji Saraie, Kunishige Oe
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2003年10月
      巻・号・頁 : 42, L1235-L1237
    • Widening of optical bandgap of polycrystalline InN with a few percent incorporation of oxygen
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, Hiroaki Yamamoto, Wei Huang, Hiroshi Harima, Junji Saraie, Akiyoshi Chayahara, and Yuji Horino
      掲載誌名 : Appl. Phys. Lett.
      出版年月 : 2003年10月
      巻・号・頁 : 83, 3480-3482
    • サブミクロン解像度極低温顕微ホトルミネセンス装置の開発とワイドギャップ半導体の欠陥検出への応用
      著者名 : 吉本昌広
      掲載誌名 : 材料
      出版年月 : 2002年09月
      巻・号・頁 : 51, 989-994
    • Impurity Incorporation in Epitaxially Laterally Overgrown GaN Detected by Cryogenic Photoluminescence Microscope with Sub-micron Spatial Resolution
      著者名 : M. Yoshimoto, J. Saraie, S. Nakamura
      掲載誌名 : Journal of Crystal Growth
      出版年月 : 2002年04月
      巻・号・頁 : 237-239, 1075-1078
    • Sub-micron Scale Photoluminescence Images of Wide Bandgap Semiconductors by Cryogenic Scanning Optical Microscope
      著者名 : M. Yoshimoto
      掲載誌名 : Materials Science and Engineering B
      出版年月 : 2002年04月
      巻・号・頁 : 91-92, 21-24
    • GaAsP pn Diode on Si Substrate Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy for Visible Light-Emitting Devices
      著者名 : M. Yoshimoto, M. Itoh, J. Saraie, T. Yasui, S. Ha, T. Kurobe, and H. Matsunami
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2001年06月
      巻・号・頁 : 40,3953-3959
    • Impurity Doping and Electrical Properties of GaAsP Heteroepitaxially Grown on GaP and Si by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
      著者名 : K. Nakamura, M. Itoh, M. Yoshimoto, J. Saraie, H. Matsunami
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2001年04月
      巻・号・頁 : 40,2132-2137
    • Low-Temperature Microscopic Photoluminescence Images of Epitaxially Laterally Overgrown GaN
      著者名 : M. Yoshimoto, J. Saraie, S.Nakamura
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2001年04月
      巻・号・頁 : 40,L386-L388
    • Lattice Distortion in GaAsP Heteroepitaxy Grown on GaP and Si by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
      著者名 : K. Nakamura, T. Hashimoto, T. Yasui, M. Yoshimoto, Matsunami
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2001年03月
      巻・号・頁 : 40,1337-1378
    • Direct Observation of Polytype Domain in GaN by Cryogenic Scanning Photoluminescence Microscope with Sub-Micron Spatial Resolution
      著者名 : M. Yoshimoto, M. Goto, J. Saraie
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2001年01月
      巻・号・頁 : 40,3159-3160
    • MBE Growth of InN on Si toward Hole-Barrier Structure in Si Devices
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, Takao Nakano, Takashi Yamasita, Koji Suzuki, Junji Saraie
      掲載誌名 : Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors,2000, Nagoya(IPAP Conf. Series 1)
      出版年月 : 2000年11月
      巻・号・頁 : 186-189
    • Scanning Photoluminescence Microscope with Sub-micorn Resolution and High Optical Throughput at a low Temperature
      著者名 : Masahiro Yoshimoto
      掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
      出版年月 : 2000年10月
      巻・号・頁 : 39,6105-6106
    • Sub-μm scale photoluminescence image of SiC and GaN at a low temperature
      著者名 : M. Yoshimoto, M. Goto, J. Saraie, T. Kimoto, H. Matsunami
      掲載誌名 : Materials Science Forum
      出版年月 : 2000年04月
      巻・号・頁 : 338-342/,627-630

    著書等

    • Applications of Bismuth-Containing III–V Semiconductors in Devices, in "Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics" Chapter 23.
      著者名 : Masahiro Yoshimoto
      出版社名 : Wiley
      出版年月 : 2019年04月
    • Localized States in GaAsBi and GaAs/GaAsBi Heterostructures, in "Bismuth-Containing Compounds" (H Li, Z. M. Wang, editor) Chapter 9.
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, Takuma Fuyuki
      出版社名 : Springer. ISBN: 9781461481201
      出版年月 : 2013年04月
    • Molecular beam epitaxy of GaAsBi and related quaternary alloys, in "Molecular Beam Epitaxy, 2nd Edition, From Research to Mass Production" Chapter 10.
      著者名 : Masahiro Yoshimoto and Kunishige Oe
      出版社名 : Elsevier
      出版年月 : 2018年07月
    • Molecular beam epitaxy of GaAsBi and related quaternary alloys, in "Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production", M. Henini, editor, Elsevier 2012, Chap. 8.
      著者名 : Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe
      出版社名 : Elsevier Inc.
      出版年月 : 2012年12月
    • 半導体デバイス
      著者名 : 松波弘之、吉本昌広
      出版社名 : 共立出版
      出版年月 : 2000年
    • 日本復活の鍵 起業工学
      著者名 : 吉本昌広
      出版社名 : 冨山房
      出版年月 : 2016年04月
    • SiC材料・プロセス;センサ用材料・プロセスの技術動向
      著者名 : 吉本昌広
      出版社名 : 電気学会
      出版年月 : 2002年06月

    作品・製品等

    • サブミクロン解像度極低温顕微ホトルミネセンス顕微鏡
      発表者名 : 吉本昌広
      発表場所 : Japanese Journal of Applied Physics
      発表年月 : 2000年09月
      作品区分 :技術製品

    受賞

    NO.受賞年月受賞名授与者
    2016年09月第10回(2016年度)応用物理学会フェロー表彰公益社団法人 応用物理学会
    2014年10月平成26年度 科学研究費助成事業審査委員表彰独立行政法人日本学術振興会

    科学研究費助成事業

    NO.研究種目研究課題交付年度
    基盤研究(A)ビスマス含有狭バンドギャップ半金属半導体混晶の創製とフォトニックデバイスへの応用2016
    基盤研究(A)発振波長が温度に依存しない希釈ビスマスⅢ‐Ⅴ族半導体レーザの実現2012
    基盤研究(B)発振波長が温度に依存しないレーザ用希釈ビスマスⅢ‐Ⅴ族半導体超格子に関する研究2009
    基盤研究(B)希釈ビスマスⅢ‐V族半金属半導体混晶GaInAsBiの創製と物性制御2007
    基盤研究(C)(2)超高速デバイス用低干渉型Ⅲ-Ⅴ族半導体・シリコンへテロ接合の製作と電子物性制御2000


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