吉本　昌広　

プロフィール

取得学位

• 修士（工学）, 京都大学, 1985年03月
• 博士（工学）, 京都大学, 1988年03月

職歴（学外）

職歴（学内）

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教育活動

担当授業

• 電子デバイス
• 電子デバイス特論
• パワー半導体デバイス論

シラバス

研究活動

研究分野

• 研究分野:電子デバイス、電子機器, 電気電子材料工学, 薄膜、表面界面物性, 結晶工学, 応用物性
• 研究課題:
  • シリコン極浅pn接合の光学的・電気的評価
  • ビスマス半金属・半導体合金GaNAsBiの創製と光通信用新型レーザの開発

所属学会

IEEE, Materials Research Society, The Electrochemical Society, 日本材料学会, 電気学会, 電子情報通信学会, 応用物理学会, The Society of Materials Science, Japan, The Institute of Electrical Engineers of Japan, Information and Communication Engineers, The Institute of Electronics, The Japan Society of Applied Physics

論文

• Raman scattering study of photoexcited plasma in GaAsBi/GaAs heterostructures: Influence of carrier confinement on photoluminescence
  著者名 : Sho Hasegawa; Noriyuki Hasuike; Kazutaka Kanegae; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Materials Science in Semiconductor Processing
  出版年月 : 2023年08月
• Vertical self-powered ultraviolet photodetector using α-Ga2O3 thin films on corundum structured rh-ITO electrodes
  著者名 : Kazuki Shimazoe; Hiroyuki Nishinaka; Yoko Taniguchi; Takahiro Kato; Kazutaka Kanegae; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Materials Letters
  出版年月 : 2023年06月
• Coherent growth of β-(Alx Ga1−x)2O3 alloy thin films on (010) β-Ga2O3 substrates using mist CVD
  著者名 : Masahiro Kaneko; Hiroyuki Nishinaka; Kazutaka Kanegae; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2023年06月
• Bismuth induced enhancement of Rashba spin–orbit interaction in GaAsBi/GaAs heterostructures
  著者名 : Yoji Kunihashi; Yasushi Shinohara; Sho Hasegawa; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto; Katsuya Oguri; Hideki Gotoh; Makoto Kohda; Junsaku Nitta; Haruki Sanada
  掲載誌名 : Applied Physics Letters
  出版年月 : 2023年05月
• Homoepitaxial growth of Ge doped β-gallium oxide thin films by mist chemical vapor deposition
  著者名 : Temma Ogawa; Hiroyuki Nishinaka; Kazuki Shimazoe; Tatsuji Nagaoka; Hiroki Miyake; Kazutaka Kanegae; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2023年04月
• Demonstration of Bixbyite-Structured δ-Ga₂O₃ Thin Films Using β-Fe₂O₃ Buffer Layers by Mist Chemical Vapor Deposition
  著者名 : Takahiro Kato; Hiroyuki Nishinaka; Kazuki Shimazoe; Kazutaka Kanegae; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : ACS Applied Electronic Materials
  出版年月 : 2023年03月
• Modulation of optical properties in epitaxial ZnO thin films on synthetic mica by incorporating Mg and bending stress
  著者名 : Yuta Arata; Hiroyuki Nishinaka; Kazutaka Kanegae; Minoru Takeda; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : MRS Advances
  出版年月 : 2023年03月
• Mist-CVD-derived Hf0.55Zr0.45O2ferroelectric thin films post-annealed by rapid thermal annealing
  著者名 : Sho Tanaka; Yuki Fujiwara; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto; Minoru Noda
  掲載誌名 : AIP Advances
  出版年月 : 2023年01月
• Raman scattering study on dilute nitride-bismide GaNAsBi alloys: behavior of photo-excited LO phonon-plasmon coupled mode
  著者名 : Sho Hasegawa; Noriyuki Hasuike; Kazutaka Kanegae; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2023年01月
• Corundum-structured α-Fe2O3 substrates for α-Ga2O3 epitaxial growth
  著者名 : Hiroyuki Nishinaka; Kazuki Shimazoe; Kazutaka Kanegae; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Materials Letters
  出版年月 : 2022年12月
• Strain-Induced Modulation of Resistive Switching Temperature in Epitaxial VO2 Thin Films on Flexible Synthetic Mica
  著者名 : Yuta Arata; Hiroyuki Nishinaka; Minoru Takeda; Kazutaka Kanegae; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : ACS Omega
  出版年月 : 2022年11月
• Impact of α-Fe₂O₃ Buffer Layer Growth Time on the α-Ga₂O₃ Grown on LiTaO₃ Substrates
  著者名 : Kazuki SHIMAZOE; Hiroyuki NISHINAKA; Yuta ARATA; Masahiro YOSHIMOTO
  掲載誌名 : Journal of the Society of Materials Science, Japan
  出版年月 : 2022年10月
• Epitaxial growth of metastable c-plane rhombohedral indium tin oxide using mist chemical vapor deposition
  著者名 : Kazuki Shimazoe; Hiroyuki Nishinaka; Keisuke Watanabe; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Materials Science in Semiconductor Processing
  出版年月 : 2022年08月
• Growth of indium-incorporated κ-Ga2O3 thin film lattice-matched to the ε-GaFeO3 substrate
  著者名 : Hiroyuki Nishinaka; Osamu Ueda; Noriaki Ikenaga; Noriyuki Hasuike; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Materials Letters: X
  出版年月 : 2022年06月
• Improving the photovoltaic properties of GaAs/GaAsBi pin diodes by inserting a compositionally graded layer at the hetero-interface
  著者名 : Hiromu Kawata; Sho Hasegawa; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Semiconductor Science and Technology
  出版年月 : 2022年06月
• Observing the microstructure of a (001) κ-Ga2O3 thin film grown on a (−201) β-Ga2O3 substrate using automated crystal orientation mapping transmission electron microscopy
  著者名 : Yuki Kajita; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : CrystEngComm
  出版年月 : 2022年03月
• Plan-view TEM observation of a single-domain κ-Ga2O3thin film grown on ϵ-GaFeO3substrate using GaCl3precursor by mist chemical vapor deposition
  著者名 : Hiroyuki Nishinaka; Osamu Ueda; Yusuke Ito; Noriaki Ikenaga; Noriyuki Hasuike; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2022年01月
• Alloying In2O3and Ga2O3on AlN templates for deep-ultraviolet transparent conductive films by mist chemical vapor deposition
  著者名 : Yuri Ogura; Yuta Arata; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2022年
• Investigation of deep level defects in n-type GaAsBi
  著者名 : Manuel Fregolent; Matteo Buffolo; Carlo De Santi; Sho Hasegawa; Junta Matsumura; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni; Matteo Meneghini
  掲載誌名 : Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
  出版年月 : 2022年
• Fabrication of a GaAs/GaNAsBi solar cell and its performance improvement by thermal annealing
  著者名 : Hiromu Kawata; Sho Hasegawa; Junta Matsumura; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Semiconductor Science and Technology
  出版年月 : 2021年09月
• Deep levels and carrier capture kinetics in n-GaAsBi alloys investigated by deep level transient spectroscopy
  著者名 : Manuel Fregolent; Matteo Buffolo; Carlo De Santi; Sho Hasegawa; Junta Matsumura; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni; Matteo Meneghini
  掲載誌名 : Journal of Physics D: Applied Physics
  出版年月 : 2021年08月
• Rapid homoepitaxial growth of (010) β-Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition
  著者名 : Hiroyuki Nishinaka; Tatsuji Nagaoka; Yuki Kajita; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Materials Science in Semiconductor Processing
  出版年月 : 2021年06月
• Epitaxial growth of γ-(AlxGa1-x)2O3 alloy thin films on spinel substrates via mist chemical vapor deposition
  著者名 : Ryuto Horie; Hiroyuki Nishinaka; Daisuke Tahara; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Journal of Alloys and Compounds
  出版年月 : 2021年01月
• Growth of metastable α-ga2o3 epitaxial thin film on flexible synthetic mica by insertion α-Fe2O3 buffer layer
  著者名 : Yuta Arata; Hiroyuki Nishinaka; Kazuki Shimazoe; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan
  出版年月 : 2021年
• Single-Domain and Atomically Flat Surface of κ-Ga2O3Thin Films on FZ-Grown ϵ-GaFeO3Substrates via Step-Flow Growth Mode
  著者名 : Hiroyuki Nishinaka; Osamu Ueda; Daisuke Tahara; Yusuke Ito; Noriaki Ikenaga; Noriyuki Hasuike; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : ACS Omega
  出版年月 : 2020年11月
• Thermal silicidation of Ni/SiGe and characterization of resulting nickel germanosilicides
  著者名 : Woo Sik Yoo; Kitaek Kang; Toshikazu Ishigaki; Jung Gon Kim; Noriyuki Hasuike; Hiroshi Harima; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : ECS Journal of Solid State Science and Technology
  出版年月 : 2020年11月
• A preliminary study on mist CVD-derived ferroelectric Hf1-x Zr xO2films featuring its possibility of suitable operation for non-volatile analog memory
  著者名 : Yuki Fujiwara; Daisuke Tahara; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto; Minoru Noda
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2020年11月
• Determination of Zn-containing sites in β-Ga2O3film grown through mist chemical vapor deposition via X-ray absorption spectroscopy
  著者名 : Noritake Isomura; Tatsuji Nagaoka; Yukihiko Watanabe; Katsuhiro Kutsuki; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2020年07月
• Phase control of α- and κ-Ga2O3 epitaxial growth on LiNbO3 and LiTaO3 substrates using α-Fe2O3 buffer layers
  著者名 : Kazuki Shimazoe; Hiroyuki Nishinaka; Yuta Arata; Daisuke Tahara; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : AIP Advances
  出版年月 : 2020年05月
• van der Waals epitaxy of ferroelectric ε-gallium oxide thin film on flexible synthetic mica
  著者名 : Yuta Arata; Hiroyuki Nishinaka; Daisuke Tahara; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2020年02月
• Epitaxial Growth of Bendable Cubic NiO and In2O3Thin Films on Synthetic Mica for p-and n-type Wide-Bandgap Semiconductor Oxides
  著者名 : Yuta Arata; Hiroyuki Nishinaka; Kazuki Shimazoe; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : MRS Advances
  出版年月 : 2020年
• Thermal silicidation of Ni/SiGe and characterization of resulting silicide films using Raman spectroscopy and X-Ray diffraction
  著者名 : Woo Sik Yoo; Kitaek Kang; Toshikazu Ishigaki; Jung Gon Kim; Noriyuki Hasuike; Hiroshi Harima; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : ECS Transactions
  出版年月 : 2020年
• Preface
  著者名 : Mutsumi Kimura; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : IMFEDK 2019 - International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  出版年月 : 2019年11月
• Mist chemical vapor deposition study of 20 and 100 nm thick undoped ferroelectric hafnium oxide films on n⁺-Si(100) substrates
  著者名 : Daisuke Tahara; Hiroyuki Nishinaka; Shota Sato; Liu Li; Toshiyuki Kawaharamura; Masahiro Yoshimoto; Minoru Noda
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2019年
• PEDOT:PSS/GaAs1-xBi x organic-inorganic solar cells
  著者名 : Hasegawa, S.; Kakuyama, K.; Nishinaka, H.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2019年
• Impact of a small change in growth temperature on the tail states of GaAsBi
  著者名 : Kakuyama, K.; Hasegawa, S.; Nishinaka, H.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2019年
• Growth and characterization of F-doped α-Ga2O3 thin films with low electrical resistivity
  著者名 : Shota Morimoto; Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Thin Solid Films
  出版年月 : 2019年
• Incorporation of indium into ϵ-gallium oxide epitaxial thin films grown: Via mist chemical vapour deposition for bandgap engineering
  著者名 : H. Nishinaka; N. Miyauchi; D. Tahara; S. Morimoto; M. Yoshimoto
  掲載誌名 : CrystEngComm
  出版年月 : 2018年
• Heteroepitaxial growth of ϵ-(AlxGa1-x)2O3alloy films on c -plane AlN templates by mist chemical vapor deposition
  著者名 : Daisuke Tahara; Hiroyuki Nishinaka; Shota Morimoto; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Applied Physics Letters
  出版年月 : 2018年
• Mist Chemical Vapor Deposition of Single-Phase Metastable Rhombohedral Indium Tin Oxide Epitaxial Thin Films with High Electrical Conductivity and Transparency on Various α-Al2O3Substrates
  著者名 : Hiroyuki Nishinaka; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Crystal Growth and Design
  出版年月 : 2018年
• Use of mist chemical vapor deposition to impart ferroelectric properties to ε-Ga2O3thin films on SnO2/c-sapphire substrates
  著者名 : Daisuke Tahara; Hiroyuki Nishinaka; Minoru Noda; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Materials Letters
  出版年月 : 2018年
• Heteroepitaxial growth of single-phase ϵ-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire by mist chemical vapor deposition using a NiO buffer layer
  著者名 : Y. Arata; H. Nishinaka; D. Tahara; M. Yoshimoto
  掲載誌名 : CrystEngComm
  出版年月 : 2018年
• Microstructures and rotational domains in orthorhombic ϵ-Ga2O3 thin films
  著者名 : Hiroyuki Nishinaka; Hiroki Komai; Daisuke Tahara; Yuta Arata; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2018年
• Localized thinning for strain concentration in suspended germanium membranes and optical method for precise thickness measurement
  著者名 : Vaccaro, P.O.; Alonso, M.I.; Garriga, M.; Gutiérrez, J.; Peró, D.; Wagner, M.R.; Reparaz, J.S.; Sotomayor Torres, C.M.; Vidal, X.; Carter, E.A.; Lay, P.A.; Yoshimoto, M.; Goñi, A.R.
  掲載誌名 : AIP Advances
  出版年月 : 2018年
• Stoichiometric control for heteroepitaxial growth of smooth ϵ-Ga2O3thin films on c-plane AlN templates by mist chemical vapor deposition
  著者名 : Daisuke Tahara; Hiroyuki Nishinaka; Shota Morimoto; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2017年
• Epitaxial growth of α-Ga2O3thin films on a-, m-, and r-plane sapphire substrates by mist chemical vapor deposition using α-Fe2O3buffer layers
  著者名 : Hiroyuki Nishinaka; Daisuke Tahara; Shota Morimoto; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Materials Letters
  出版年月 : 2017年
• ビスマス系化合物半導体によるレーザーダイオード
  著者名 : 吉本 昌広
  掲載誌名 : 応用物理
  出版年月 : 2016年02月
• Micro-raman characterization of cluster carbon implanted si before and after rapid thermal annealing
  著者名 : Woo Sik Yoo; Kitaek Kang; Hiroshi Nishigaki; Noriyuki Hasuike; Hiroshi Harima; Masahiro Yoshimoto; Karuppanan Sekar
  掲載誌名 : ECS Transactions
  出版年月 : 2016年
• Solution-based mist CVD technique for CH3NH3Pb(Br1-xClx)3 inorganic-organic perovskites
  著者名 : Nishinaka, H.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2016年
• Heteroepitaxial growth of ϵ-Ga2O3thin films on cubic (111) MgO and (111) yttria-stablized zirconia substrates by mist chemical vapor deposition
  著者名 : Hiroyuki Nishinaka; Daisuke Tahara; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2016年
• Room temperature Photoluminescence characterization of low dose As⁺ implanted Si after rapid thermal annealing
  著者名 : Yoo, W.S.; Yoshimoto, M.; Sagara, A.; Shibata, S.
  掲載誌名 : ECS Solid State Letters
  出版年月 : 2015年
• Polarized raman signals from Si wafers: Dependence of in-plane incident orientation of probing light
  著者名 : Yoo, W.S.; Harima, H.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : ECS Journal of Solid State Science and Technology
  出版年月 : 2015年
• Characterization of hetero-epitaxial Ge films on Si using multiwavelength micro-raman spectroscopy
  著者名 : Yoo, W.S.; Kang, K.; Ueda, T.; Ishigaki, T.; Nishigaki, H.; Hasuike, N.; Harima, H.; Yoshimoto, M.; Tan, C.S.
  掲載誌名 : ECS Journal of Solid State Science and Technology
  出版年月 : 2015年
• Temperature dependence of photoluminescence spectra from crystalline silicon
  著者名 : Yoo, W.S.; Kang, K.; Murai, G.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : ECS Journal of Solid State Science and Technology
  出版年月 : 2015年
• Electrically pumped roomerature operation of GaAs1-xBi x laser diodes with lowerature dependence of oscillation wavelength
  著者名 : Fuyuki, T.; Yoshida, K.; Yoshioka, R.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Applied Physics Express
  出版年月 : 2014年
• Detection of Ge and Si Intermixing in Ge/Si using Multiwavelength Micro-Raman Spectroscopy
  著者名 : Woo Sik Yoo; Kitaek Kang; Takeshi Ueda; Toshikazu Ishigaki; Hiroshi Nishigaki; Noriyuki Hasuike; Hiroshi Harima; Masahiro Yoshimoto; Chuan Seng Tan
  掲載誌名 : SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES
  出版年月 : 2014年
• Junction formation via direct bonding of Si and 6H-SiC
  著者名 : Y. Sasada; T. Kurumi; H. Shimizu; H. Kinoshita; M. Yoshimoto
  掲載誌名 : SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2
  出版年月 : 2014年
• GaAs_1-xBi_xおよびGaAs/GaAs_1-xBi_xヘテロ界面における局在準位
  著者名 : 冬木 琢真; 伊藤 瑞記; 角 浩輔; 吉本 昌広
  掲載誌名 : 材料
  出版年月 : 2013年
• Quantitative estimation of density of Bi-induced localized states in GaAs1-xBix grown by molecular beam epitaxy
  著者名 : Yoshimoto, M.; Itoh, M.; Tominaga, Y.; Oe, K.
  掲載誌名 : Journal of Crystal Growth
  出版年月 : 2013年
• Long-wavelength emission in photo-pumped GaAs1-xBix laser with low temperature dependence of lasing wavelength
  著者名 : Fuyuki, T.; Yoshioka, R.; Yoshida, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Applied Physics Letters
  出版年月 : 2013年
• Photoluminescence characterization of defects in rapidly annealed ultra shallow junctions
  著者名 : Yoshimoto, M.; Okutani, M.; Murai, G.; Tagawa, S.; Saikusa, H.; Takashima, S.; Yoo, W.S.
  掲載誌名 : ECS Journal of Solid State Science and Technology
  出版年月 : 2013年
• High hole mobility in GaAs 1-xBi x alloys
  著者名 : Kado, K.; Fuyuki, T.; Yamada, K.; Oe, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2012年
• Interface states in p-type GaAs/GaAs1-xBix heterostructure
  著者名 : Fuyuki, T.; Kashiyama, S.; Oe, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2012年
• Formation and Characterization of Nickel Germanosilicide on Si1-xGex/Si/SiO2/Si
  著者名 : Woo Sik Yoo; Noriyuki Hasuike; Hiroshi Harima; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 5: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES
  出版年月 : 2012年
• Structure of Directly Bonded Interfaces between Si and SiC
  著者名 : Masahiro Yoshimoto; Ryosuke Araki; Takamasa Kurumi; Hiroyuki Kinoshita
  掲載誌名 : SEMICONDUCTOR WAFER BONDING 12: SCIENCE, TECHNOLOGY, AND APPLICATIONS
  出版年月 : 2012年
• Temperature-insensitive photoluminescence emission wavelength in GaAs1-xBix/GaAs multiquantum wells
  著者名 : Tominaga, Y.; Oe, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
  出版年月 : 2011年
• Non-contact and non-destructive characterization alternatives of ultra-shallow implanted silicon p-n junctions by multi-wavelength raman and photoluminescence spectroscopy
  著者名 : Yoo, W.S.; Ueda, T.; Ishigaki, T.; Kang, K.; Fukumoto, M.; Hasuike, N.; Harima, H.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Journal of the Electrochemical Society
  出版年月 : 2011年
• Deep-hole traps in p-type GaAs1-xBix grown by molecular beam epitaxy
  著者名 : Fuyuki, T.; Kashiyama, S.; Tominaga, Y.; Oe, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2011年
• Effects of excitation power and temperature on photoluminescence from stacking faults in 4H-SiC epilayers
  著者名 : Nakamura, M.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2010年
• Low temperature dependence of oscillation wavelength in GaAs1-x Bix laser by photo-pumping
  著者名 : Tominaga, Y.; Oe, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Applied Physics Express
  出版年月 : 2010年
• Growth of GaAs1-xBix/AlyGa1-yas multi-quantum-well structures
  著者名 : Fuyuki, T.; Tominaga, Y.; Oe, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2010年
• TEM Observation of the Polytype Transformation of Bulk SiC Ingot
  著者名 : Masahiko Aoki; Megumi Miyazaki; Taro Nishiguchi; Hiroyuki Kinoshita; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, PTS 1 AND 2
  出版年月 : 2009年
• Characterization of Schottky diodes on 4H-SiC with various off-axis angles grown by sublimation epitaxy
  著者名 : Mitsutaka Nakamura; Yoshikazu Hashino; Tomoaki Furusho; Hiroyuki Kinoshita; Hiromu Shiomi; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, PTS 1 AND 2
  出版年月 : 2009年
• Growth of GaAs1-xBix/GaAs multi-quantum wells by molecular beam epitaxy
  著者名 : Yoriko Tominaga; Yusuke Kinoshita; Gan Feng; Kunishige Oe; Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9
  出版年月 : 2008年
• Mluti-wavelength raman and HRTEM study of Ni/Si interface after NiSi formation at low temperatures using various heating methods
  著者名 : Takashi Sasaki; Hiroaki Minami; Hiroshi Harima; Toshiyuki Isshiki; Masahiro Yoshimoto; Woo Sik Yoo
  掲載誌名 : ECS Transactions
  出版年月 : 2008年
• Growth of GaAs1-xBix/GaAs multi-quantum wells by molecular beam epitaxy
  著者名 : Tominaga, Y.; Kinoshita, Y.; Feng, G.; Oe, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
  出版年月 : 2008年
• Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistor on Si-on-SiC directly bonded wafers with high thermal conductance
  著者名 : Shinohara, H.; Kinoshita, H.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Applied Physics Letters
  出版年月 : 2008年
• Structural investigation of GaAs1-xBix/GaAs multiquantum wells
  著者名 : Tominaga, Y.; Kinoshita, Y.; Oe, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Applied Physics Letters
  出版年月 : 2008年
• Dependence of DAP emission properties on impurity concentrations in N-/B-co-doped 6H-SiC
  著者名 : Satoshi Murata; Yoshihiro Nakamura; Tomohiko Maeda; Yoko Shibata; Mina Ikuta; Masaaki Sugiura; Shugo Nitta; Motoaki Iwaya; Satoshi Kamiyama; Hiroshi Amano; Isamu Akasaki; Masahiro Yoshimoto; Tomoaki Furusho; Hiroyuki Kinoshita
  掲載誌名 : SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2006
  出版年月 : 2007年
• Temperature dependence of Bi behavior in MBE growth of InGaAs/InP
  著者名 : Feng, G.; Oe, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Journal of Crystal Growth
  出版年月 : 2007年
• Molecular-beam epitaxy of GaNAsBi layer for temperature-insensitive wavelength emission
  著者名 : Yoshimoto, M.; Huang, W.; Feng, G.; Tanaka, Y.; Oe, K.
  掲載誌名 : Journal of Crystal Growth
  出版年月 : 2007年
• Influence of thermal annealing treatment on the luminescence properties of dilute GaNAs-bismide alloy
  著者名 : Feng, G.; Oe, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
  出版年月 : 2007年
• Bismuth containing III-V quaternary alloy InGaAsBi grown by MBE
  著者名 : G. Feng; K. Oe; M. Yoshimoto
  掲載誌名 : PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
  出版年月 : 2006年09月
• Bismuth containing III-V quaternary alloy InGaAsBi grown by MBE
  著者名 : Feng, G.; Oe, K.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
  出版年月 : 2006年
• Temperature-insensitive refractive index of GaAsBi alloy for laser diode in WDM optical communication
  著者名 : K Yamashita; M Yoshimoto; K Oe
  掲載誌名 : PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3 NO 3
  出版年月 : 2006年
• Lattice distortion of GaAsBi alloy grown on GaAs by molecular beam epitaxy
  著者名 : Takehara, Y.; Yoshimoto, M.; Huang, W.; Saraie, J.; Kunishige, O.E.; Chayahara, A.; Horino, Y.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
  出版年月 : 2006年
• Influence of Mn incorporation on MBE growth of (In,Mn)N
  著者名 : Feng, G.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Journal of Electronic Materials
  出版年月 : 2006年
• Temperature-insensitive refractive index of GaAsBi alloy for laser diode in WDM optical communication
  著者名 : K. Yamashita; M. Yoshimoto; K. Oe
  掲載誌名 : Physica Status Solidi C: Conferences
  出版年月 : 2006年
• Extremely high quantum efficiency of donor-acceptor-pair emission in N-and-B-doped 6H-SiC
  著者名 : Kamiyama, S.; Maeda, T.; Nakamura, Y.; Iwaya, M.; Amano, H.; Akasaki, I.; Kinoshita, H.; Furusho, T.; Yoshimoto, M.; Kimoto, T.; Suda, J.; Henry, A.; Ivanov, I.G.; Bergman, J.P.; Monemar, B.; Onuma, T.; Chichibu, S.F.
  掲載誌名 : Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2006年
• New semiconductor alloy GaNAsBi with temperature-insensitive bandgap
  著者名 : Yoshimoto, M.; Huang, W.; Feng, G.; Oe, K.
  掲載誌名 : Physica Status Solidi (B) Basic Research
  出版年月 : 2006年
• Application of UV-Raman spectroscopy for characterization of the physical crystal structure following flash anneal of an ultrashallow implanted layer
  著者名 : Yoshimoto, M.; Nishigaki, H.; Harima, H.; Isshiki, T.; Kang, K.; Yoo, W.S.
  掲載誌名 : Journal of the Electrochemical Society
  出版年月 : 2006年
• New III-V semiconductor InGaAsBi alloy grown by molecular beam epitaxy
  著者名 : Feng, G.; Yoshimoto, M.; Oe, K.; Chayahara, A.; Horino, Y.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
  出版年月 : 2005年
• Molecular-beam epitaxy and characteristics of Ga N y As 1-x-y Bi x
  著者名 : Huang, W.; Oe, K.; Feng, G.; Yoshimoto, M.
  掲載誌名 : Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2005年
• GaNyAs1-x-yBixAlloy Lattice Matched to GaAs with 1.3 µm Photoluminescence Emission
  著者名 : Wei Huang; Masahiro Yoshimoto; Yuji Takehara; Junji Saraie; Kunishige Oe
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 2004年09月
• Improved Electrical Properties of InN by High-Temperature Annealing with In Situ Capped SiNxLayers
  著者名 : Huang, W.; Yoshimoto, M.; Taguchi, K.; Harima, H.; Saraie, J.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
  出版年月 : 2004年
• Spectroscopic observation of oxidation process in InN
  著者名 : Kurimoto, E.; Hangyo, M.; Harima, H.; Yoshimoto, M.; Yamaguchi, T.; Araki, T.; Nanishi, Y.; Kisoda, K.
  掲載誌名 : Applied Physics Letters
  出版年月 : 2004年
• Reduction of Carbon Impurity in Silicon Nitride Films Deposited from Metalorganic Source
  著者名 : Taguchi, K.; Yoshimoto, M.; Saraie, J.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
  出版年月 : 2004年
• New semiconductor GaNAsBi alloy grown by molecular beam epitaxy
  著者名 : Yoshimoto, M.; Huang, W.; Takehara, Y.; Saraie, J.; Chayahara, A.; Horino, Y.; Kunishige, O.E.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
  出版年月 : 2004年
• Dense structure of SiNx films fabricated by radical beam deposition method using hexamethyldisilazane
  著者名 : Taguchi, K.; Yoshimoto, M.; Saraie, J.; Chayahara, A.; Horino, Y.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
  出版年月 : 2004年
• 有機液体原料を用いたラジカルビーム堆積法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積
  著者名 : 田口貢士; 吉本昌広; 更家淳司
  掲載誌名 : 材料
  出版年月 : 2004年
• Fabrication of InN/Si heterojunctions with rectifying characteristics
  著者名 : M Yoshimoto; Y Yamamoto; J Saraie
  掲載誌名 : 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS
  出版年月 : 2003年
• Fabrication of InN/Si heterojunctions with rectifying characteristics
  著者名 : Masahiro Yoshimoto; Yoshiaki Yamamoto; Junji Saraie
  掲載誌名 : Physica Status Solidi C: Conferences
  出版年月 : 2003年
• Widening of optical bandgap of polycrystalline InN with a few percent incorporation of oxygen
  著者名 : Yoshimoto, M.; Yamamoto, H.; Huang, W.; Harima, H.; Saraie, J.; Chayahara, A.; Horino, Y.
  掲載誌名 : Applied Physics Letters
  出版年月 : 2003年
• Metastable GaAsBi Alloy Grown by Molecular Beam Epitaxy
  著者名 : Yoshimoto, M.; Murata, S.; Chayahara, A.; Horino, Y.; Saraie, J.; Oe, K.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
  出版年月 : 2003年
• Impurity incorporation in epitaxially laterally overgrown GaN detected by cryogenic photoluminescence microscope with sub-micron spatial resolution
  著者名 : Yoshimoto, M.; Saraie, J.; Nakamura, S.
  掲載誌名 : Journal of Crystal Growth
  出版年月 : 2002年
• サブミクロン解像度極低温顕微ホトルミネセンス装置の開発と ワイドギャップ半導体の欠陥検出への応用
  著者名 : 吉本昌広
  掲載誌名 : 材料
  出版年月 : 2002年
• Lattice distortion in GaAsP heteroepitaxially grown on GaP and Si by metalorganic molecular beam epitaxy
  著者名 : Nakamura, K.; Hashimoto, T.; Yasui, T.; Yoshimoto, M.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
  出版年月 : 2001年
• Direct observation of polytype domains in GaN using a cryogenic scanning photoluminescence microscope with sub-micron spatial resolution
  著者名 : Yoshimoto, M.; Goto, M.; Saraie, J.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
  出版年月 : 2001年
• GaAsP pn diode on Si substrate grown by metalorganic molecular beam epitaxy for visible light-emitting devices
  著者名 : Yoshimoto, M.; Itoh, M.; Saraie, J.; Yasui, T.; Ha, S.; Kurobe, T.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
  出版年月 : 2001年
• Impurity doping and electrical properties of GaAsP heteroepitaxially grown on GaP and Si by metalorganic molecular beam epitaxy
  著者名 : Nakamura, K.; Itoh, M.; Yoshimoto, M.; Saraie, J.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
  出版年月 : 2001年
• Low-temperature microscopic photoluminescence images of epitaxially laterally overgrown GaN
  著者名 : Yoshimoto, M.; Saraie, J.; Nakamura, S.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
  出版年月 : 2001年
• Scanning photoluminescence microscope with sub-micron resolution and high optical throughput at a low temperature
  著者名 : Masahiro Yoshimoto
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
  出版年月 : 2000年
• Low-hydrogen-concentration a-Si:H deposited by direct photo-CVD
  著者名 : T. Shirafuji; M. Yoshimoto; T. Fuyuki; H. Matsunami
  掲載誌名 : Solar Energy Mater.
  出版年月 : 1999年08月
• Growth of luminescent GaAsP on Si substrate by metalorganic molecular beam epitaxy using GaP buffer layer
  著者名 : Yoshimoto, M.; Watanabe, Y.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
  出版年月 : 1998年
• GaN growth on sapphire and 6H-SiC by metalorganic molecular beam epitaxy
  著者名 : Yoshimoto, M.; Hatanaka, A.; Itoh, H.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Journal of Crystal Growth
  出版年月 : 1998年
• Preferential growth of cubic GaN on sapphire (0001) substrates by metal organic molecular beam epitaxy
  著者名 : Kurobe, T.; Sekiguchi, Y.; Suda, J.; Yoshimoto, M.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Applied Physics Letters
  出版年月 : 1998年
• Structure analysis of A-Si1-xCx:H with dominant tetrahedral Si-C bonds deposited by hybrid-plasma chemical vapor deposition
  著者名 : Fujii, T.; Yoshimoto, M.; Fuyuki, T.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
  出版年月 : 1997年
• Interface electronic properties between silicon and silicon nitride deposited by direct photochemical vapor deposition
  著者名 : Matsuura, H.; Yoshimoto, M.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
  出版年月 : 1996年
• Bonding structures in highly photoconductive a-SiC : H films deposited by hybrid-plasma CVD(共著)
  著者名 : T.Fujii; M.Yoshimoto,T.Fuyuki; H.Matsunami
  掲載誌名 : J. Non-Cryst. Solids
  出版年月 : 1996年
• DISCHARGING CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY FOR EVALUATING TRAPS IN INSULATORS
  著者名 : H MATSUURA; M YOSHIMOTO; H MATSUNAMI
  掲載誌名 : JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
  出版年月 : 1995年02月
• Carbon background in P-based III-V semiconductors grown by metalorganic molecular beam epitaxy using ethyl-metalorganic sources
  著者名 : Yoshimoto, M.; Tanaka, S.; Tsuji, T.; Kurata, H.; Nishimura, K.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Journal of Crystal Growth
  出版年月 : 1995年
• Deposition mechanism of silicon nitride in direct photo-assisted chemical vapor deposition using a low-pressure Hg Lamp(共著)
  著者名 : M.Yoshimoto; T.Ohtsuki; K.Takubo; M.Komoda; H.Matsunami
  掲載誌名 : J. Electrochemical Soc.
  出版年月 : 1995年
• Increase of leakage current and trap density caused by bias stress in silicon nitride prepared by photo-chemical vapor deposition
  著者名 : Matsuura, H.; Yoshimoto, M.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 1995年
• In-situ reflection high-energy electron diffraction observation of laser-triggered GaP growth in chemical beam epitaxy
  著者名 : Yoshimoto, M.; Hashimoto, T.; Vaccaro, P.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Journal of Crystal Growth
  出版年月 : 1994年
• LASER DECOMOPOSITION OF SURFACE ADSORBED METALORGANICS IN MOMBE GROWTH OF GAP
  著者名 : M YOSHIMOTO; T HASHIMOTO; P VACCARO; H MATSUNAMI
  掲載誌名 : ADVANCED MATERIALS '93, VI - A & B
  出版年月 : 1994年
• Characterization of hydrogenated amorphous silicon-carbon films deposited by hybrid-plasma CVD
  著者名 : Fujii, T.; Sameshima, K.; Okada, H.; Yoshida, K.; Hashimoto, T.; Yoshimoto, M.; Fuyuki, T.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Solar Energy Materials and Solar Cells
  出版年月 : 1994年
• In-situ RHEED observation on surface reaction in laser-triggered chemical beam epitaxy of GaP(共著)
  著者名 : M.Yoshimoto; T.Hashimoto; P.Vaccaro; H.Matsunami
  掲載誌名 : Appl. Surf. Sci.
  出版年月 : 1994年
• Gas phase reactions diagnosed by mass analysis in photo-assisted chemical vapor deposition of silicon nitride(共著)
  著者名 : M.Yoshimoto; K.Takubo; M.Komoda; H.Matsunami
  掲載誌名 : Appl. Surf. Sci.
  出版年月 : 1994年
• Deposition of hydrogenated amorphous silicon films by vacuum ultraviolet photo-CVD(共著)
  著者名 : T.Fujii; M.Yoshimoto,T.Fuyuki; H.Matsunami
  掲載誌名 : Appl. Surf. Sci.
  出版年月 : 1994年
• CHARACTERIZATION OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON-CARBON FILMS DEPOSITED BY HYBRID-PLASMA CVD
  著者名 : T FUJII; K SAMESHIMA; H OKADA; K YOSHIDA; T HASHIMOTO; M YOSHIMOTO; T FUYUKI; H MATSUNAMI
  掲載誌名 : 7TH INTERNATIONAL PHOTOVOLTAIC SCIENCE AND ENGINEERING CONFERENCE, TECHNICAL DIGEST
  出版年月 : 1993年
• Model for reflection high-energy electron diffraction intensity recouvery during GaP growth in laser-triggered chemical beam epitaxy(共著)
  著者名 : P.Vaccaro; T.Hashimoto; M.Yoshimoto; H.Matsunami
  掲載誌名 : Appl. Phys. Lett.
  出版年月 : 1993年
• Reflection high-energy electron diffraction observation of surface reaction triggered by pulsed laser irradiation during GaP growth in chemical beam epitaxy(共著)
  著者名 : T.Hashimoto; P.Vaccaro; M.Yoshimoto; H.Matsunami
  掲載誌名 : Appl. Phys. Lett.
  出版年月 : 1993年
• Electrical Properties Of Silicon Nitride Films Prepared By Photo-Assisted Chemical Vapor Deposition Under Controlled Decomposition Of Ammonia
  著者名 : Yoshimoto, M.; Ohtsuki, T.; Takubo, K.; Komoda, M.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 1993年
• In-situ RHEED observation of laser triggered GaP growth in CBE
  著者名 : M.Yoshimoto; T.Hashimoto; P.Vaccaro; H.Matsunami
  掲載誌名 : J. Cryst. Growth
  出版年月 : 1993年
• Atomic-layer control in gap growth by laser-triggered chemical beam epitaxy
  著者名 : Yoshimoto, M.; Vaccaro, P.; Hashimoto, T.; Kajimoto, A.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 1993年
• Laser-assisted atomic layer epitaxy of GaP in chemical beam epitaxy
  著者名 : Yoshimoto, M.; Kajimoto, A.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Thin Solid Films
  出版年月 : 1993年
• DIRECT PHOTO CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF SILICON-NITRIDE AND ITS APPLICATION TO MIS STRUCTURE
  著者名 : M YOSHIMOTO; K TAKUBO; T SAITO; T OHTSUKI; M KOMODA; H MATSUNAMI
  掲載誌名 : IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
  出版年月 : 1992年09月
• MOMBE GROWTH OF GAP AND ITS EFFICIENT PHOTOENHANCEMENT AT LOW-TEMPERATURES
  著者名 : M YOSHIMOTO; T TSUJI; A KAJIMOTO; H MATSUNAMI
  掲載誌名 : WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS
  出版年月 : 1992年
• Low Density of Gap States in a-Si:H Deposited by Vacuum UV Direct Photochemical Vapor Deposition Method
  著者名 : Shirafuji Tatsuru; Yoshimoto Masahiro; Fuyuki Takashi; Matsunami Hiroyuki
  掲載誌名 : Jpn J Appl Phys
  出版年月 : 1991年
• MOMBE growth of P-based III-V semiconductors and its photo-enhancement at low temperatures
  著者名 : Yoshimoto, M.; Ozasa, K.; Tsuji, T.; Kajimoto, A.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Journal of Crystal Growth
  出版年月 : 1991年
• Efficient photo-enhancement of GaP and AlGaP growth in chemical beam epitaxy(共著)
  著者名 : M.Yoshimoto; K.Ozawa; H.Matsunami
  掲載誌名 : J. Appl. Phys.
  出版年月 : 1991年
• Low-hydrogen-concentration a-Si:H deposited by direct photo-CVD
  著者名 : Shirafuji, T.; Yoshimoto, M.; Fuyuki, T.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Solar Energy Materials
  出版年月 : 1991年
• a-Si:H deposited by direct photo-CVD using a microwave-excited Xe lamp
  著者名 : H. Matsunami; T. Shirafuji; T. Fuyuki; M. Yoshimoto
  掲載誌名 : Mater. Res. Soc. Symp. Proc.
  出版年月 : 1990年08月
• Hydrogen incorporation scheme in hydrogenated amorphous silicon/silicon carbon alloy multilayers(共著)
  著者名 : M.Yoshimoto; H.Matsunami
  掲載誌名 : J. Appl. Phys.
  出版年月 : 1990年
• CARRIER TRANSPORT IN A-SI-H/A-SI1-XCX-H ULTRA-THIN MULTILAYERS
  著者名 : M YOSHIMOTO; T FUYUKI; H MATSUNAMI
  掲載誌名 : PHILOSOPHICAL MAGAZINE B-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STATISTICAL MECHANICS ELECTRONIC OPTICAL AND MAGNETIC PROPERTIES
  出版年月 : 1989年07月
• X-ray photoelectron spectroscopy study of band offsets in a-Si0·2C0·8:H/p-(a-Si:H) and a-Si0·2C0·8:H/n-(a-Si:H) heterojunctions
  著者名 : Masaaki Hirai; Masahiko Kusaka; Motohiro Iwami; Fumio Akao; Masahiro Yoshimoto; Hiroyuki Matsunami
  掲載誌名 : Philosophical Magazine B: Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties
  出版年月 : 1989年
• Carrier Transport in a-Si : H/a-Si_<1/x>C_x : H ultra-thin multilayers(共著)
  著者名 : M.Yoshimoto,T.Fuyuki; H.Matsunami
  掲載誌名 : Philos. Mag. B
  出版年月 : 1989年
• Deposition of high-quality a-Si : H by direct photodecomposigion of Si_2H_6 using vacuum ultraciolet lifht(共著)
  著者名 : T.Fuyuki; K.Du; S.Okamoto; S.Yasuda; T.Kimoto; M.Yoshimoto; H.Matsunami
  掲載誌名 : J. Appl. Phys.
  出版年月 : 1988年
• Electron spin resonance and photoluminescence in a-si1-xcx:H deposited at low substrate temperature
  著者名 : Yoshimoto, M.; Fuyuki, T.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 1987年
• Hot electron conduction in a-si:H/a-si0.2c0.8:H super structure
  著者名 : Yoshimoto, M.; Fuyuki, T.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 1986年
• Tunneling current in a-si:H/a-si1,xcx:H multilayer structures
  著者名 : Yoshimoto, M.; Du, K.-Y.; Fuyuki, T.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 1986年
• Effects of deposition conditions on properties of a-si1-xcx:H diagnosed using optical emission spectroscopy
  著者名 : Yoshimoto, M.; Aizawa, K.; Fuyuki, T.; Matsunami, H.; Aizawa, K.
  掲載誌名 : Japanese Journal of Applied Physics
  出版年月 : 1986年
• Preparation of hydrogenated amorphous Si-C alloy films and their properties
  著者名 : Saraie, J.; Fujii, Y.; Yoshimoto, M.; Yamazoe, K.; Matsunami, H.
  掲載誌名 : Thin Solid Films
  出版年月 : 1984年
• Polarization effects in AC electroluminescence of a-Si_<1-x>C_x : H(共著)
  著者名 : H.Matsunami; M.Yoshimoto; Y.Fujii; J.Saraie
  掲載誌名 : J. Non-Crystalline Solids
  出版年月 : 1983年

著書等

• Molecular Beam Epitaxy: Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics
  著者名 : 吉本 昌広
  出版社名 : Wiley
  出版年月 : 2019年04月
• Molecular Beam Epitaxy 2nd Edition
  著者名 : 吉本 昌広
  出版社名 : Elsevier
  出版年月 : 2018年06月
• 日本復活の鍵起業工学
  著者名 : 古池 進; 西本 清一; Carlos Aranjo; Nakamura Shuji; 河田 聡; 吉本 昌広; 加納 剛太; 映像情報メディア学会
  出版社名 : 富山房インターナショナル
  出版年月 : 2016年
• Molecular beam epitaxy : from research to mass production
  著者名 : Henini Mohamed
  出版社名 : Elsevier
  出版年月 : 2013年
• Bismuth-containing compounds
  著者名 : Li Handong; Wang Zhiming M
  出版社名 : Springer
  出版年月 : 2013年
• 半導体デバイス (series電気・電子・情報系)
  著者名 : 松波 弘之; 吉本 昌広
  出版社名 : 共立出版
  出版年月 : 2000年04月
• 光励起プロセスの基礎 : プロセスの低温・無損傷化を実現
  著者名 : 高橋 清; 松波 弘之; 村田 好正; 英 貢; 西澤 潤一
  出版社名 : 工業調査会
  出版年月 : 1994年

作品・製品等

• 発振波長温度無依存レーザの開発
• 窒素ラジカルビームを用いた大面積薄膜製造装置の試作
• サブミクロン解像度極低温顕微ルミネセンス装置
• Control in electronic properties of wide gapsemiconductor and its application to energy electronics

受賞

科学研究費助成事業